Nexperia扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2023-06-21 11:28:37 | 449 次阅读

    基础半导体器件领域的高产能生产Nexperia今日宣布扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装,而现在新增了LFPAK56和LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性,适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。

    长期以来,品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET开关效率的重点。然而,一味地降低该品质因数导致产生了意外后果,在打开或关闭MOSFET时尖峰耐压升高,从而使得产生的电磁干扰(EMI)增加。确认这一新问题后,Nexperia立即开始研究如何改善其他工艺技术参数,以帮助解决此问题。Nexperia的不懈努力终促成了NextPower 80/100 V MOSFET的发布。该器件的Qrr(反向恢复电荷)较低,因此可显著降低开关转换期间的尖峰值,同时表现出与竞品MOSFET相同的高效性能,且具有更低的EMI。
    通过为高效率、低尖峰的NextPower 80/100 V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封装系列,Nexperia不仅可以帮助设计人员缩小应用尺寸并体验到铜夹片封装的超强可靠性,而且还为设计工程师和客户提供了新的选择,希望为现有设计提供额外的资源。
关键词:MOSFET

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告