Fairchild推出业内首款8x8 Dual Cool封装的中压MOSFET
全球的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild(NASDAQ:FCS)推出了其行业的中压MOSFET产品，采用了8x8DualCool封装。这款新型DualCool88MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓
Fairchild的800VSuperFET II MOSFET 系列提供的导通电阻和多种可选封装
美国加州圣何塞–2015年3月10日—全球的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild(NASDAQ:FCS)今日推出800VSuperFET?IIMOSFET系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有业内的导通电阻(Rdson)和输出电容
意法半导体推出首款采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET
导读：意法半导体（ST）推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650VAEC-Q101汽车级MOSFET--STW78N65M5和STW62N65M5.在高压脉冲环境中，650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数，有助于提高汽车电源
横跨多重电子应用领域、全球的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics）推出首款采用全新封装技术的MDmeshV超结MOSFET晶体管，新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。新
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻(ROJA)为256?C/W，在连续条件下功耗高达1.3
近日，主要从事半导体分立元件制造生产的美国Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻(ROJA)为
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30VN沟道及30V互补器件。这些双DFN3020MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个
为了满足高电流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)开发出用于MOSFET器件的DualCool封装，DualCool封装是采用崭新封装技术的顶部冷却PQFN器件，可以通过封装的顶部实现额外
分类：新品快报 时间：2010/10/27 阅读：403 关键词：MOSFET
恩智浦发布了业界最全无损耗封装（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列产品
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）近日成为发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK
日前,飞兆半导体公司(FarichildSemiconductor)宣布其MicroFET现推出行业的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能.飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrenchMOSFET与肖特基二
分类：新品快报 时间：2009/11/23 阅读：1140 关键词：MOSFET
飞兆半导体采用 Power 56封装的30V MOSFET器件率先突破1mOhmRDS(ON)障碍
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低于1mOhm的30VMOSFET器件，采用Power56封装，型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench工艺技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来
日前，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench工艺技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人
Vishay推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAKSC-75封装、提供8V～30VVDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mmx1.6mm占
日前，国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出IRF6718DirectFETMOSFET。这款新型25V器件提供业界的通态电阻(RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最
分类：业界要闻 时间：2009/8/11 阅读：292 关键词：MOSFET
