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N沟道功率MOSFE

N沟道功率MOSFE资讯

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET—...

分类：新品快报时间：2023/8/18 阅读：428 关键词：MOSFET

Toshiba - 东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用。该...

时间：2023/7/10 阅读：217

Toshiba - 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品...

时间：2023/7/5 阅读：132

东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信...

分类：新品快报时间：2023/6/30 阅读：464

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压60...

分类：新品快报时间：2023/6/14 阅读：504 关键词：MOSFET

Toshiba - 东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TP...

时间：2023/4/19 阅读：216 关键词：MOSFET

Toshiba - 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两...

分类：新品快报时间：2023/3/10 阅读：444 关键词：N沟道功率MOSFE

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出采用新型L-TOGL（大型晶体管...

分类：新品快报时间：2023/2/3 阅读：336

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用zui新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量...

分类：新品快报时间：2022/5/16 阅读：279 关键词：MOSFET

东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（ToshibaElectronicDevices&StorageCorporation，简称“东芝”）推出了150VN沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R0...

分类：新品快报时间：2022/4/7 阅读：1460

N沟道功率MOSFE技术

东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...

新品速递时间：2024/6/5 阅读：253

Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路

器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封装。　　宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET...

新品速递时间：2019/8/13 阅读：1070

Vishay推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率...

新品速递时间：2019/3/11 阅读：979