东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...

新品速递 时间：2024/6/5 阅读：269

Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路

器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封装。 　　宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET...

新品速递 时间：2019/8/13 阅读：1070

Vishay推出高性能60 V TrenchFET® 第四代 N沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率...

新品速递 时间：2019/3/11 阅读：981