东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET—...
分类:新品快报 时间:2023/8/18 阅读:438 关键词:MOSFET
Toshiba - 东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用。该...
时间:2023/7/10 阅读:226
Toshiba - 东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品...
时间:2023/7/5 阅读:143
东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信...
分类:新品快报 时间:2023/6/30 阅读:476
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构,耐压60...
分类:新品快报 时间:2023/6/14 阅读:517 关键词:MOSFET
Toshiba - 东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性,有助于提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TP...
时间:2023/4/19 阅读:223 关键词:MOSFET
Toshiba - 东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两...
分类:新品快报 时间:2023/3/10 阅读:454 关键词:N沟道功率MOSFE
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出采用新型L-TOGL(大型晶体管...
分类:新品快报 时间:2023/2/3 阅读:338
Toshiba东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用zui新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量...
分类:新品快报 时间:2022/5/16 阅读:287 关键词:MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(ToshibaElectronicDevices&StorageCorporation,简称“东芝”)推出了150VN沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R0...
分类:新品快报 时间:2022/4/7 阅读:1467
东芝推出采用很新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150VN沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用很新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其...
分类:新品快报 时间:2022/4/1 阅读:2781
东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80VN沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装:“TK2R4E08QM、T...
分类:新品快报 时间:2021/5/6 阅读:1316
TOSHIBA东芝推出采用其一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。 U-MO...
–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线– 中国上海,2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN190...
东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,...