Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度
Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，这颗器件在10V的导通电阻为业内，仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有的栅极电荷，导通电阻还不到...
分类：新品快报 时间：2017/11/27 阅读：461 关键词：Vishay
昨日消息，Vishay（威世）宣布推出新系列600V和650Vn沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super
Vishay推出四款500V、16A的N沟道功率MOSFET
威世（VishayIntertechnology,Inc.）日前宣布推出四款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有
Vishay推出三款500V 12A N沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET---SiHB12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHP12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的导通
安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF
Vishay新款N沟道功率MOSFET 开关速度和损耗得到改善
Vishay目前宣布推出新一代500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34n
Vishay推出N沟道功率MOSFET SiB408DK/412DK
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAKSC-75封装、提供8V～30VVDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。此次发布的器件包括业界首款采用1.6mm×1.6mm占
Vishay推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAKSC-75封装、提供8V～30VVDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mmx1.6mm占
