Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 ...
时间：2025/4/1 阅读：88 关键词：英飞凌
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V的TO－247－2封装，在提升效率的同时简化设计
许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英...
Littelfuse - 业界领先的低钳位电压TPSMB-L 系列汽车 TVS 二极管
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司日前宣布推出TPSMB-L系列汽车 TVS 二极管，该产品专为 800 V 电动汽车 (EVs) 中的电池管理系统 (BMS) 而创新设计，具...
时间：2025/2/28 阅读：102 关键词：Littelfuse
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司日前宣布推出TPSMB-L系列汽车 TVS 二极管，该产品专为...
分类：新品快报 时间：2025/2/24 阅读：227 关键词：TVS 二极管
Littelfuse - 业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）M...
时间：2025/2/19 阅读：86 关键词：SiC MOSFET
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V， 直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二...
时间：2025/2/19 阅读：80 关键词：英飞凌
Littelfuse - 首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的...
时间：2025/2/18 阅读：73 关键词：Littelfuse
Hamamatsu已在0.9至2.6μm的敏感性以及敏感区域的选择中推出了一个Ingaas光电二极管系列。 Hamamatsu G1719x Ingaas照片二极管 该公司表示：“ G1719X系列是近红外传...
分类：新品快报 时间：2025/2/18 阅读：178 关键词：二极管
ROHM面向支持自动驾驶的高速车载通信系统， 开发出支持“CAN FD”的TVS二极管“ESDCANxx系列”
ROHM（总部位于日本京都市）面向随着自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）的发展而需求不断增长的高速车载通信系统，开发出支持CAN FD（CAN with Flexible Data rate）*1总线端口保护的双向TVS（ESD保护）二极管*2“ESDCANxx系列”。CAN F...
时间：2025/2/17 阅读：50 关键词：ROHM
Nexperia发布首款符合10BASE-T1S开放技术联盟标准的车规级ESD保护二极管
Nexperia今日宣布推出首款符合开放技术联盟要求、适用于10BASE-T1S汽车以太网应用的ESD保护二极管。这些二极管具有非常低的电容（0.4 pF），意味着可以用于保护车内网络中...
分类：新品快报 时间：2025/2/12 阅读：425 关键词：Nexperia
稳压二极管（又叫齐纳二极管，Zener Diode）是一种特殊的二极管，设计用于稳定电压。当其反向电压超过一定值时，稳压二极管会进入齐纳击穿区，并开始稳定电压。它的主要作用是维持稳定的电压，即使输入电压发生变化时，它也能保持输出电...
基础电子 时间：2025/4/3 阅读：371
瞬态保护设备 瞬态尖峰可能是由雷击，附近的机械，负载开关的电源飙升等引起的。一个例子是现代汽车，在该汽车上不断增加的车载电子设备连接到电池和交流发电机。交流发...
设计应用 时间：2025/3/27 阅读：295
肖特基二极管（Schottky Diode）和快恢复二极管（Fast Recovery Diode）都是常用的半导体器件，它们在电子电路中的作用和应用有所不同。下面是它们的主要区别： 1. 工作原理 肖特基二极管：肖特基二极管采用金属与半导体的接触方式...
基础电子 时间：2025/3/25 阅读：340
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失，这可能会主导P/N二极管损失，尤其是在较高的温度，快速转换过渡和高流动应用下。除了...
设计应用 时间：2025/3/20 阅读：351
TVS（Transient Voltage Suppression）瞬态电压抑制二极管是一种用于保护电子电路免受瞬态电压（如雷击、静电放电等）干扰的器件。它能够在电压瞬间超出正常工作范围时，迅速将过高的电压吸收并消耗掉，从而保护电路中的其他敏感元件不受...
基础电子 时间：2025/3/17 阅读：335
二极管的反向恢复时间（Reverse Recovery Time, trr）是描述二极管在从正向导通状态切换到反向截止状态时，其电流响应速度的一个重要参数。这个时间与二极管在电流变化过程中存储的电荷释放过程有关。下面我们详细解读这一概念。1. 反向...
基础电子 时间：2025/3/7 阅读：316
二极管反向恢复机理（Reverse Recovery Mechanism）是指当一个二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时，二极管内存储的少数载流子（如电子和空穴）会导致反向电流的产生，直到这些载流子被完全移除。这个过程称为反向恢复时间（revers...
基础电子 时间：2025/2/20 阅读：296
PN连接二极管由p区域和N区组成，该区域由耗尽区域分离，该区域存储了电荷。上一个教程中描述的效果是实现的，而没有将任何外部电压应用于实际的PN连接，从而导致连接处处于...
设计应用 时间：2025/2/20 阅读：163
Nexperia声称首先是ESD保护二极管，以打开10Base-T1S汽车以太网的联盟要求 - “单对以太网”家族的成员。 Nexperia 10Base-T1S保护二极管CCT 该公司表示：“这些二极管中的极低电容（0.4pf）意味着它们也可以用来保护部署100base-T...
新品速递 时间：2025/2/13 阅读：402
肖特基二极管 Schottky二极管由于其简单性和效率而被广泛用于次要/输出阶段。与普通二极管不同，它们的正向电压下降通常较低，约为0.3-0.9V，从而减少了开关损耗。它们...
设计应用 时间：2025/2/7 阅读：225
