NCE20H11K采用先进的沟槽技术和设计，以提供低栅充电的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　产品型号：NCE20H11K

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（）：20V

　　连续漏极电流（）：110A

　　功率耗散（）：85W

　　栅源极击穿电压：10V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：3mΩ

　　封装：TO252

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　　一般特征：

　　VDS=20V,ID=110A

　　RDS(ON)<4mΩ@VGS=10V(Typ3mΩ)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

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　　应用程序：

　　电源开关应用

　　负荷开关

　　不间断电源

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　　额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：110

　　漏极电流连续(TC=100℃)：77

　　脉冲漏极电流：200

　　功耗：85W

　　单脉冲雪崩能量(注5)：450mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

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　　封装：

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类型：贸易/代理/分销

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