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N沟道功率MOSFET新洁能NCE20H11K

N沟道功率MOSFET新洁能NCE20H11K
N沟道功率MOSFET新洁能NCE20H11K
  • 型号/规格:

    NCE20H11K

  • 品牌/商标:

    NCE新洁能

  • 封装形式:

    TO-252-2L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

VIP会员 第 11
  • 企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 18988767293
    0755-82577335
    0755-82543235
    0755-82534547

    手机:18988767293
    13410894495
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    联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆

    QQ: QQ:2355879095QQ:2355879085

    微信:

    邮箱:lbc@yhtcdz.com

    地址:广东深圳广东省深圳市福田区赛格科技园4栋中5楼505

产品分类
商品信息 更新时间:2019-08-05

  NCE20H11K采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅充电的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

  产品型号:NCE20H11K

  产品种类:MOSFET

  产品特性:N沟道功率MOSFET

  漏源极击穿电压():20V

  连续漏极电流():110A

  功率耗散():85W

  栅源极击穿电压:10V

  漏源导通电阻(典型值)(10V):3mΩ

  封装:TO252



  一般特征:

  VDS=20V,ID=110A

  RDS(ON)<4mΩ@VGS=10V(Typ3mΩ)

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS高

  优异的散热包装

  特殊工艺,具有高ESD能力



  应用程序:

  电源开关应用

  负荷开关

  不间断电源



  额定值(TA=25℃,除非另有说明):

  漏源电压:20V

  栅源电压:±12V

  漏极电流连续:110

  漏极电流连续(TC=100℃):77

  脉冲漏极电流:200

  功耗:85W

  单脉冲雪崩能量(注5):450mJ

  操作结和存储温度范围:-55-150℃



  封装:

联系方式

企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 18988767293
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547

手机:18988767293
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15919489657

联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆

QQ: QQ:2355879095QQ:2355879085QQ:2881509223QQ:2355879088

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