NCE20H11K
NCE新洁能
TO-252-2L
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
18988767293
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547
手机:18988767293
13410894495
18720511991
15919489657
联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆
微信:
邮箱:lbc@yhtcdz.com
地址:广东深圳广东省深圳市福田区赛格科技园4栋中5楼505
NCE20H11K采用先进的沟槽技术和设计,以提供低栅充电的优良RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
产品型号:NCE20H11K
产品种类:MOSFET
产品特性:N沟道功率MOSFET
漏源极击穿电压():20V
连续漏极电流():110A
功率耗散():85W
栅源极击穿电压:10V
漏源导通电阻(典型值)(10V):3mΩ
封装:TO252
一般特征:
VDS=20V,ID=110A
RDS(ON)<4mΩ@VGS=10V(Typ3mΩ)
超低Rdson高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
稳定性好,均匀性好,EAS高
优异的散热包装
特殊工艺,具有高ESD能力
应用程序:
电源开关应用
负荷开关
不间断电源
额定值(TA=25℃,除非另有说明):
漏源电压:20V
栅源电压:±12V
漏极电流连续:110
漏极电流连续(TC=100℃):77
脉冲漏极电流:200
功耗:85W
单脉冲雪崩能量(注5):450mJ
操作结和存储温度范围:-55-150℃
封装:
企业名:深圳市誉辉天成电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
18988767293
0755-82577335
0755-82543235
0755-82534547
手机:18988767293
13410894495
18720511991
15919489657
联系人:黄丹/冯烷仪/龙婷/ 张仕庆
微信:
邮箱:lbc@yhtcdz.com
地址:广东深圳广东省深圳市福田区赛格科技园4栋中5楼505