大功率P沟道MOS管NCE20P07N采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅电荷和低1.8v的栅电压操作。该装置适用于负载开关或PWM应用场合，对静电放电有一定的抑制作用。

   NCE0208KA使用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的R DS（ON）。它可以用于多种应用。

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大功率P沟道MOS管一般特点：

VDS=-20V,ID=-7A

RDS(ON)<45mΩ@vg=-2.5v

RDSON()<35mΩ@vg=-4.5v

ESD等级：2500VHBM

高功率和电流处理能力

表面安装包

无铅端面镀层

通过无铅

无卤素

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大功率P沟道MOS管应用程序：

PWM程序

负荷开关

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大功率P沟道MOS管封装：

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额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

漏源电压：-20v

栅源电压：±10v

漏电流连续：-7a

漏电流脉冲：-30a

功耗：1.5W

工作结和储存温度范围：-55~150℃

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