NCE3035G使用先进的海沟技术和设计提供的RDS门费用较低。它可以用在各种各样的应用程序。作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商，新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至200V，配合的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理。

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　　N沟道增强模式场效应晶体管NCE3035G参数：

　　产品型号：N沟道增强模式场效应晶体管

　　产品种类：MOSFET分立器件

　　产品特性：设计超低Rdson高密度细胞，特殊工艺技术高防静电功能

　　输入电压：30V

　　输出电压：20V

　　电位差：40W

　　超低内阻：4.8mΩ

　　输出电流：35A

　　精准性：±2%

　　封装：DFN5X68L

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　　N沟道增强模式场效应晶体管NCE3035G一般特征：

　　vds=30V,ID=35A

　　rds(ON)<7.0mΩ@VGS=10V

　　rds(ON)<12mΩ@VGS=4.5V

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

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　　N沟道增强模式场效应晶体管NCE3035G应用程序：

　　二次侧同步整流器

　　POLDC/DC转换器的高侧开关

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明):

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