NCE30P15S采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，该设备适用于负载开关或PWM应用。

　　产品型号：NCE30P15S

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：15A

　　漏源电压（Vdss）：30V

　　栅源极阈值电压（值）：2.2V@250uA

　　漏源导通电阻（值）：12mΩ@15A，10V

　　类型：P沟道

　　功率耗散（值）：3.1W

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　　NCE30P15S一般特征：

　　VDS=-30V,ID=-15A

　　RDS(ON)<12mΩ@vg=-10v

　　RDS(ON)<15mΩ@vg=-4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

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　　NCE30P15S应用程序：

　　脉宽调制的应用程序

　　负荷开关

　　不间断电源

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　　NCE30P15S封装：

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　　额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源极电压VDS：-30v

　　门源电压VGS：±20v

　　漏电流连续ID：-15a

　　漏电流脉冲(注1)IDM：-80a

　　功耗PD：3.1W

　　工作结和储存温度范围TJ,TSTG：-55至150℃

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　　誉辉天成之经营理念：只做原装，假一罚十，所有产品均为原厂订购过来，不收购便宜库存，以诚信为根本，不欺骗客户，在这混乱的，以次充好的市场，我们以信誉至上。选择誉辉天成就选择了，也选择了安心，不用担心会出质量问题。

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