您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

场效应IGBT

(共找到“27”条查询结果)
所在地区
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂
1/2 跳至 下一页
  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    场效应IGBT模块

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N60UFD,SGL160N60UFD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    44N50

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PC50UD

  • 封装形式:

    TO-247

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 夹断电压:

    600(V)

  • 饱和漏*电流:

    55(mA)

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PF50WD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTDTU

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

    品牌:ST 型号:TIP36CW 批号:09+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:11(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:11(mW)热卖!

    • 加工定制:

    • 品牌/商标:

      REN*AS/瑞萨

    • 型号/规格:

      RJP3057

    • 应用范围:

      功率

    • 材料:

      硅(Si)

    • *性:

      NPN型

    • 击穿电压VCEO:

      330(V)

    • 集电*允许电流ICM:

      70(A)

      品牌:西门康 型号:IGBT 封装形式:功率型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

        品牌:*童 型号:FGA15N120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 原装现货

        • 骏锐电子有限公司

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:经销商
        • 地区:广东深圳
        • 电话:0755-82532130

          品牌:英飞凌 型号:H15R1202 批号:10+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 工作温度:-40~125(℃)*原装

            特色标志:* 品牌:IR 型号:IRFP460PBF 封装:TO-247 种类:结型(JFET)

              型号:各种IGBT 厂家:*品牌 封装:各种封装荣兴电子是一家集生产,经营,销售为一体的大型电子元件配套公司,产品质量*,价格合理;公司主营整流桥,水泥电阻/线绕电阻/碳膜电阻,金属膜电阻,电解电容,金属氧化膜,霍尔元件,集...

                品牌:IR 型号:IRFPS37N50K大量现货库存

                  品牌:FAIRCHILD 型号:HGTG11N120CND 批号:09 封装:A 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:原厂标准(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:原...

                    品牌:*童 型号:G23N60UFD.SGF23N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:600(V) 低频跨导:...

                      品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFP264 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 材料:N-FET硅N沟道本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量*,货源充足,供应电子元气件应用范围:电磁炉、变频器、逆...

                        品牌/商标 ADI 型号/规格 AD7705BNZ 批号 0945+ 封装 DIP-16 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 类型 驱动IC

                          品牌:IGBT 型号:AC 批号:DC 封装:纸经营各国SMD/DIP系列集成电路以及二三*管.场效应.IGBT.肖特基.快恢复.稳压IC.........(IR.FAIRCHILD.PHILIPS.ON.VISHAY.INFINEON.....)汽车品牌(BOHCH)通信.网络品牌(BCM.GALILEO....

                            品牌:三菱 型号:IGBT驱动 场效应IGBT IGBT逆变模块 批号:08 封装:原装BSM150GB120DLC

                            电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

                            在采购场效应IGBT进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

                            免责声明:以上所展示的场效应IGBT信息由会员自行提供,场效应IGBT内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

                            友情提醒:为规避购买场效应IGBT产品风险,建议您在购买场效应IGBT相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。