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场效应IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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场效应IGBT模块
场效应IGBT模块
  • 品牌/商标：

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格：

    场效应IGBT模块

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

*童场效应IGBT，SGH40N60UFD,G40N60UFD
*童场效应IGBT，SGH40N60UFD,G40N60UFD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N60UFD,SGL160N60UFD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    AM/调幅

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

【场效应IGBT管】44N50 TO-*L
【场效应IGBT管】44N50 TO-*L
  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    44N50

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

场效应IGBT.IRG4PC50UD
场效应IGBT.IRG4PC50UD
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG4PC50UD

  • 封装形式：

    TO-247

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 夹断电压：

    600（V）

  • 饱和漏*电流：

    55（mA）

大功率场效应IGBT:IRG4PF50WD
大功率场效应IGBT:IRG4PF50WD
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG4PF50WD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

美国*童FAIRCHILD 场效应IGBT 原装 现货批发
美国*童FAIRCHILD 场效应IGBT 原装 现货批发
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTDTU

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

场效应IGBT
场效应IGBT

    品牌:ST 型号:TIP36CW 批号:09+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:11（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:11（mW）热卖！

    场效应IGBTRJP3057
    场效应IGBTRJP3057
    • 加工定制：

      否

    • 品牌/商标：

      REN*AS/瑞萨

    • 型号/规格：

      RJP3057

    • 应用范围：

      功率

    • 材料：

      硅(Si)

    • *性：

      NPN型

    • 击穿电压VCEO：

      330（V）

    • 集电*允许电流ICM：

      70（A）

    场效应IGBT
    场效应IGBT

      品牌:西门康 型号:IGBT 封装形式:功率型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

      场效应IGBT15N120
      场效应IGBT15N120

        品牌:*童 型号:FGA15N120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 原装现货

        • 骏锐电子有限公司

        • 供应商等级： 免费会员
        • 企业类型：经销商
        • 地区:广东深圳

          • 电话：0755-82532130

        供场效应IGBT、H15R1202、H15R120
        供场效应IGBT、H15R1202、H15R120

          品牌:英飞凌 型号:H15R1202 批号:10+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 工作温度:-40~125（℃）*原装

          场效应IGBT
          场效应IGBT

            特色标志:* 品牌:IR 型号:IRFP460PBF 封装:TO-247 种类:结型(JFET)

            场效应IGBT
            场效应IGBT

              型号:各种IGBT 厂家:*品牌 封装:各种封装荣兴电子是一家集生产,经营,销售为一体的大型电子元件配套公司,产品质量*,价格合理;公司主营整流桥,水泥电阻/线绕电阻/碳膜电阻,金属膜电阻,电解电容,金属氧化膜,霍尔元件,集...

              场效应IGBT IRFPS37N50K
              场效应IGBT IRFPS37N50K

                品牌:IR 型号:IRFPS37N50K大量现货库存

                *场效应IGBT管:HGTG11N120CND
                *场效应IGBT管:HGTG11N120CND

                  品牌:FAIRCHILD 型号:HGTG11N120CND 批号:09 封装:A 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:原厂标准（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:原...

                  场效应IGBT
                  场效应IGBT

                    品牌:*童 型号:G23N60UFD.SGF23N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:...

                    拆机三*管场效应IGBT：IRFPF40
                    拆机三*管场效应IGBT：IRFPF40
                    • 品牌/商标：

                      IR/国际整流器

                    • 型号/规格：

                      IRFPF40

                    • 种类：

                      *缘栅(MOSFET)

                    • 沟道类型：

                      N沟道

                    • 导电方式：

                      增强型

                    • 封装外形：

                      CER-DIP/陶瓷直插

                    • 材料：

                      N-FET硅N沟道

                    二三*管IC可控硅场效应IGBT
                    二三*管IC可控硅场效应IGBT

                      品牌/商标 ADI 型号/规格 AD7705BNZ 批号 0945+ 封装 DIP-16 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 类型 驱动IC

                      场效应IGBT/电源模块
                      场效应IGBT/电源模块

                        品牌:IGBT 型号:AC 批号:DC 封装:纸经营各国SMD/DIP系列集成电路以及二三*管.场效应.IGBT.肖特基.快恢复.稳压IC.........(IR.FAIRCHILD.PHILIPS.ON.VISHAY.INFINEON.....)汽车品牌(BOHCH)通信.网络品牌(BCM.GALILEO....

                        IGBT驱动 场效应IGBT IGBT逆变模块
                        IGBT驱动 场效应IGBT IGBT逆变模块

                          品牌:三菱 型号:IGBT驱动 场效应IGBT IGBT逆变模块 批号:08 封装:原装BSM150GB120DLC

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