金属氧化物半导体场效应管英语：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

　　金属-氧化物半导体场效应管NCE60P06S采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的低栅充电RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

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　　一般特征：

　　VDS=-60v,ID=6

　　RDS(ON)<50mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　优异的散热包装

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　　应用程序：

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　直流-直流转换器

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　　额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-6a

　　漏电流连续(TC=100℃)：-4.2A

　　脉冲漏电流：-30a

　　功耗：3w

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

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　　电气特性(TA=25℃，除非另有说明):

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