NCE60P50K功率场效应管采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷，该设备非常适合于高电流负载的应用。

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　　NCE60P50K功率场效应管一般特征：

　　VDS=-60V,ID=-50A

　　RDS(ON)<28mΩ@vg=-10v

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

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　　NCE60P50K功率场效应管应用程序：

　　负荷开关

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60V

　　栅源电压：±20V

　　漏极电流连续：-50

　　漏极电流连续(TC=100℃)：-35

　　脉冲漏极电流：-150

　　功耗：95W

　　降额因子：0.76W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：722mj

　　操作结和存储温度范围：-55-150℃

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　　NCE60P50K功率场效应管封装：

企业名：深圳市誉辉天成电子有限公司

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