品牌:IPRS罗德 型号:IRAMX20UP60A 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:VA/场输出级 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:M*金属半导体 开启电压:12000(V) 夹断电压:2000(V)IR场效应模块原装现...
电话:0755-83551566
手机:15220073393
IXFN38N100Q2
艾赛斯IXYS
16+
IGBT
电话:15112624459
手机:13590170629
BSM111AR
SEMIKRON(西门康)
无铅*型
电话:010-62106998
手机:13522825349
SMD(SO)/表面封装
E38NA50
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
ST/意法
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
IXYS/艾赛斯
E53N50
结型(JFET)
N沟道
增强型
手机:
IXY美国电报半导体
IXFN38N100Q2
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DUAL/配对管
SP/*外形
1000(V)
电话:20-81857822
品牌:IR 型号:IRAMX20UP60A 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货IRAMX20UP60A:07+ 原装* 越南产地 现货供应
电话:755-82817189
品牌:IR 型号:IRAMX20UP60A 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货IRAMX20UP60A:07+ 越南产地,无铅 ,现货供应!!!
电话:025-84535686
电话:0755-61685458
品牌:MITSUBISHI 型号:FM50DY-10 批号:10+ 封装:模块 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:来电咨询(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功...
电话:021-53080182
品牌:FUJI 型号:2DI50Z-120 批号:09 封装:模块 营销方式:现货 产品性质:新品 处理信号:模拟信号 制作工艺:膜集成 导电类型:单*型 集成程度:中规模 规格尺寸:2(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:2(mW)供应2DI5...
电话:0755-82565430
FUJI/富士通
2DI75MA-120
双向
四*
金属封装
平板形
普通
带散热片
电话:0755-82894329
电话:010-62106568