NCE6003Y采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。

　　产品型号：NCE6003Y

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型功率MOSFET

　　漏源极击穿电压（）：60V

　　连续漏极电流（）：3A

　　功率耗散（）：1.7W

　　栅源极击穿电压：20V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：78mΩ

　　漏源导通电阻（典型值）(4.5V)：95mΩ

　　封装：SOT23-3L

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　　一般特征:

　　VDS=60V,ID=3A

　　RDS(ON)<105mΩ@vg=10v

　　RDS(ON)<125mΩ@vg=4.5v

　　高功率和电流处理能力

　　获得无铅产品

　　表面安装包

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　　引脚图:

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　　应用领域：

　　电池开关

　　直流/直流转换器

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　　典型效率曲线:

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　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。 公司拥有一批经验丰富的采购及销售团队，长期关注电子产业的动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。

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