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小功率场效应管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    2SK363

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-92

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    VN10KM

  • 品牌/商标:

    SILICONIX

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    ST2301

  • 品牌/商标:

    STANSON

  • 封装形式:

    塑料封装

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片

  • 功率特征:

    小功率

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    2SK2800

  • 品牌/商标:

    U

  • *类别:

    无铅*型

  • 锋泽电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-88917223

    手机:13510355358

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    SI2301

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标:

    博明

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌:

    Alpha/阿尔法

  • 型号:

    AOD403

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 击穿电压VCBO:

    100

  • 封装形式:

    SOD-23

  • 型号/规格:

    AO3400

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 产品应用:

    电源厂、LED灯系列等

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 漏*电流:

    -

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    CEM9926/CEM9435

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    CET/华瑞

  • 用途:

    CC/恒流

  • 沟道类型:

    N沟道

    品牌:AO美国原厂* 型号:AOB420 批号:09年新货RoSH*合国际*标准 封装:TO263 营销方式:现货 产品性质:新品 处理信号:模拟信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:N/A(mm) 工作温度:-40~1...

    • 品牌/商标:

      SSC

    • 型号/规格:

      SSC8023GS6

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      MES金属半导体

    • 品牌/商标:

      UTC(台湾友顺)

    • 型号/规格:

      UT3418

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    小功率场效应管技术资料

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