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P场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    BAN20 M8W

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    AP15N03GH AP/富鼎 SOT-252 SMD/MOS N场 30V 15A 0.08Ω

  • 品牌/商标:

    AP/富鼎

  • 封装形式:

    SOT-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    2500/盘

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    AP9406MP

  • 品牌/商标:

    APEC

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号:

    IPL60R180P6

  • Vds-漏源极击穿电压:

    600V

  • Id-连续漏极电流::

    22.4A

  • Rds On-漏源导通电阻::

    180mR

  • 类型:

    N-CH

  • 型号/规格:

    STF24N60M2

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220FP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    通孔

  • 包装方式:

    管件

  • 型号/规格:

    FDC642P

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT23-6

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    AM30N10-70D

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌:

    ANALOGPOW

  • 品牌:

    全新

  • 型号:

    HY1906P

  • 封装:

    TO-220

  • 批号:

    19+RoHS

  • FET类型:

    -

  • 漏源电压(Vdss):

    60V

  • 漏极电流(Id):

    120A

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    -

  • 型号/规格:

    2SK2698

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-3P

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特性:

    超大功率

  • 型号/规格:

    IXFH30N60P/TO-247

  • 品牌/商标:

    IXYS/IXYS

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    FDN360P

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD

  • 封装形式:

    塑料封装

  • *类别:

    无铅*型

  • 型号/规格:

    OM13364SPP

  • 品牌/商标:

    LUC英德LUCCAS

  • *类别:

    无铅*型

  • 金华星电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:其他
  • 地区:广东揭阳
  • 电话:0663-2564776

    手机:15362590872

  • 品牌/商标:

    PHILIPS/飞利浦

  • 型号/规格:

    BSP254A

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    Sanyo/三洋

  • 型号/规格:

    2SJ584LS-CD11 TO-220F 06NPB SANYO -4.5A -250V 1.

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 型号/规格:

    OGFD6703

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 封装形式:

    sot-23-6

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 无锡羿胜华业科技公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:0510-82864500

    手机:18118913227

  • 功率特性:

    大功率

  • 关断速度:

    高频(快速)

  • *数:

    二*

  • 额定正向平均电流:

    1(A)

  • 散热功能:

    不带散热片

  • 频率特性:

    *频

  • 型号/规格:

    IXFK80N50P

  • 封装外形:

    平板形

  • 品牌/商标:

    NXP/恩智浦

  • 型号/规格:

    PH6325L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

P场效应管技术资料

  • VMOS场效应管的检测方法

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当...

  • MOS场效应管电源开关电路

    场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管的工...

  • 场效应管和三极管的详细比较

    场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出,输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出,不消耗功率。场效应管和三极管的区别是电压和电流控制,但这都是相对的。电压控制的也需要电流,电流控制的也需要电压,只是相对要...

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