类别：其他 出处：网络整理 发布于：2023-07-07 17:15:03 | 213 次阅读
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。
相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（RDS(on)），减少了-55℃至175℃温度范围内的传导损耗。
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