存储行业迎来新动态，铠侠宣布开始出样 UFS 4.1 嵌入式闪存设备，同时回顾此前 SK 海力士在该领域的进展，以及 UFS 4.1 存储新标准的相关情况。
铠侠 UFS 4.1 闪存设备亮点 铠侠此次推出的新款 UFS 4.1 闪存专为满足下一代移动应用需求而设计，尤其是具备设备内置 AI 的智能手机。该闪存采用了铠侠 BiCS8 FLASH 3D 闪存芯片，并结合开创性的 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，集成在 JEDEC 标准封装中。
在性能方面，它提供 256GB、512GB 和 1TB 三种容量可选。相比上一代产品，512GB 和 1TB 的随机写入性能提升了约 30%，随机读取性能分别提升了约 45% 和 35%。在能效上，512GB 和 1TB 的读取速度提升了约 15%，写入速度提升了约 20%。此外，它还支持主机启动的碎片整理和写入缓冲区大小调整等先进特性，主机启动碎片整理支持延迟垃圾收集，能在关键时刻实现不间断的快速性能；WriteBooster 缓冲区大小调整为性能，提供了更好的灵活性。该产品支持 UFS Ver. 4.1 标准，与上一代产品相比，1TB 型号的封装高度降低，采用小型 BGA 封装，可提供更高的性能和更高的能效。铠侠表示，这款闪存融合了速度和低功耗，旨在增强用户体验，实现更快的和更强的性能。
SK 海力士 UFS 4.1 进展 今年 5 月，SK 海力士宣布成功开发出搭载全球 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。该产品具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧 AI 进行优化。产品厚度减薄 15%，从 1mm 减薄至 0.85mm，适用于超薄旗舰智能手机。新品较上一代基于 238 层 NAND 闪存的产品能效提升了 7%，支持第四代 UFS 产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达 4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了 15% 与 40%，达到现存 UFS 4.1 产品中全球领先水平。SK 海力士计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。
UFS 4.1 存储新标准 今年年初，JEDEC 固态技术协会推出通用闪存标准 UFS 4.1（JESD220G），同时发布了配套的 JESD223F UFS 主机控制器接口（UFSHCI）4.1 标准更新。UFS 4.1 采用 MIPI Alliance 的 M - PHY 5.0 和 UniPro 2.0 规范，实现 UFS 接口带宽翻倍，理论读写速度可达约 4.2 GB/s。它专为需要高性能和低功耗的移动应用和计算系统而开发，与早期版本的标准相比，不仅可以提供更快的数据访问速度和更高的性能，同时保持了与 UFS 4.0 的硬件兼容性。此外，UFS 4.1 和 UFSHCI 4.1 相对于先前版本进行了多方面的改进，例如引入了更高效的内存管理和新功能来提高系统吞吐量，并通过使用 RPMB 以防止未经授权的数据访问；还提高了存储逻辑单元的精度，为 QLC NAND 的实现奠定了基础。
