类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2023-02-23 15:44:07 | 341 次阅读
未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,电压范围涵盖25-150 V,并且有底部散热(BSC)和双面散热(DSC)两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进,为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案,同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。
该新产品系列采用了英飞凌的MOSFET产品技术和领先的封装技术,将系统性能提升至新的水平。在源极底置(SD)封装内部,MOSFET晶圆的源极触点被翻转、并朝向封装的足底一侧,然后焊接到PCB上。此外,该封装内部在芯片顶部还有一个改进的漏极铜夹片设计,实现了市场领先的芯片/封装面积比。凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
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