英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

类别：新品快报　出处：网络整理　发布于：2023-12-08 10:48:11 | 386 次阅读

　　数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。

　　该半导体产品组合包含的PQFN 3.3 x 3.3 mm?源极底置（Source-Down）封装，标准门级和门级居中引脚排列形式均提供底部冷却型和双面冷却型以供选择；此外，该产品组合还包含稳定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm?封装。OptiMOS7 15 V技术专为低输出电压下的DC-DC转换定制，尤其适合服务器和计算环境。这项先进技术符合数据中心配电中出现的48:1 DC-DC转换的新趋势。
　　与现有的OptiMOS5 25 V相比，全新OptiMOS? 7 15 V通过降低击穿电压，将 RDS(on) 和FOM Qg减少了约30%，并将FOM QOSS减少了约50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm源极底置封装型号提供更灵活优化的PCB设计。PQFN 2 x 2 mm?封装的脉冲电流能力超过500 A，典型RthJC为1.6 K/W。通过地减少传导和开关损耗并采用先进的封装技术，实现了简化散热管理，树立了功率密度和整体效率的新标杆。

关键词：英飞凌

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