类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2023-04-17 15:25:29 | 530 次阅读
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是漏源导通电阻为14.1ｍΩ的“TPH1400CQH”和漏源导通电阻为48mΩ的“TPN4800CQH” 。两款产品均采用表面贴装封装。
与采用前一代工艺的U-MOS VIII-H系列150V产品相比，新产品降低了漏源导通电阻。同时，器件结构的优化改善了漏源导通电阻与输出电荷之间的平衡[1]，并且具有业界领先[2]的低功耗。此外，产品还降低了开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。
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