PANJIT 推出新款 P 沟道和 N 沟道 MOSFET，旨在提升汽车电子系统的性能。P 沟道 MOSFET 通过了 AEC-Q101 认证，结温高达 175°C，为追求可靠性和简化电路的设计工程师提供了最佳选择。这些 MOSFET 最大限度地降低了 RDS(ON)，最大限度地...
时间：2024/7/26 阅读：60 关键词：MOSFET
Panjit -强茂高效能60V/100V/150V车规级 MOSFET系列
强茂推出最新的60V、100V和150V车规级MOSFET，此系列专为汽车和工业电力系统设计提供优异性能和效率。采用先进沟槽技术设计，与传统标准沟槽设计相比，为60V MOSFET的品质因数（FOM）减少68%、100V减少41%、150V则减少了53%，且显著降低...
时间：2024/7/26 阅读：104 关键词： MOSFET系列
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新...
分类：新品快报 时间：2024/7/25 阅读：318
Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET，精准优化匹配您的设计需求
随着设计人员打破应用性能界限，了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去，具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是，为了满足特定的应用要求或功能，越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如...
时间：2024/7/23 阅读：44 关键词：MOSFET
圭步微电子发布全球首颗8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片
我司荣幸地宣布一项具有里程碑意义的技术成果：经过团队的不懈努力和深入研究，我们成功研发出了业界首颗高性能8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片。目前芯片测试性能优异...
分类：新品快报 时间：2024/7/16 阅读：259 关键词：雷达射频单芯片
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出笔记本电脑与平板系列超小尺寸全局快门图像传感器SC038MPC(0.3MP)及SC020MPC(0.16MP)。...
分类：新品快报 时间：2024/7/12 阅读：342 关键词：CMOS图像传感器
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示：“几十年来，用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)（如 CPU 和 GPU）的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人...
分类：业界动态 时间：2024/7/2 阅读：216 关键词：CMOS芯片
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...
分类：新品快报 时间：2024/6/26 阅读：337 关键词：英飞凌
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为...
分类：新品快报 时间：2024/6/25 阅读：323 关键词：英飞凌
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...
分类：新品快报 时间：2024/6/14 阅读：438 关键词：英飞凌
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...
分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：302 关键词：碳化硅MOSFET
长光辰芯发布全新4K线阵产品——GL7004，该产品具备高行频、低功耗、高集成度等优势，同时相比于同类型产品性价比更高。GL7004进一步拓展了长光辰芯的线阵产品线，为用户在...
分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：311 关键词：长光辰芯
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英...
分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：277 关键词： MOSFET系列
NXP - 恩智浦率先推出28nm RFCMOS雷达单芯片系列，助力软件定义汽车构建ADAS架构
·专为分布式雷达架构设计的新一代雷达单芯片旨在促进从当今边缘计算传感器无缝过渡到未来分布式串流传感器的进程 ·恩智浦的完整系统解决方案支持软件定义雷达，包括360度传感器融合、更出色的传感器分辨率和基于人工智能的物体分类...
时间：2024/5/27 阅读：40 关键词：电子
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装
Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...
分类：新品快报 时间：2024/5/23 阅读：291 关键词：SiC MOSFET
