1200V 碳化硅 MOSFET 经过雪崩测试至 800mJ

类别：新品快报　出处：网络整理　发布于：2025-04-27 11:07:26 | 3345 次阅读

　　SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器，这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试，部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。　

　有四种设备：　

　 GCMS008C120S1-E1 8.4mΩ 配有肖特基二极管　

　GCMS016C120S1-E1 16.5mΩ with Schottky

　　GCMS016C120S1-E1 16.5mΩ 配有肖特基二极管
　　此处的电阻值是沟道导通电阻。
　　此外，还有两个经过雪崩测试至 330mJ：
　　39mΩ 配施特基二极管
　　根据公司所说，一个可以以 67ns 的速度切换。“快的切换器件具有 13ns 的导通延迟时间和 7ns 的上升时间。其关断延迟时间为 18ns，下降时间为 29ns，”它说。这里的总切换损耗可达 468?J，体二极管的反向恢复电荷为 172nC。
　　无肖特基的 8m.4Ω版本在 188ns 内切换，切换损耗约为 5mJ，体二极管反向恢复电荷为 776nC——在带有肖特基的版本中增加到 1.2μC。
　　8.4mΩ器件在 25°C 0Vg 1.2kVd 下的典型漏极漏电流为 8μA，在 175°C 时升高到 310μA。栅极漏电流在 18V 下通常为 10nA。
　　(-8 to +22V max).
　　操作温度范围超过-55 至 175°C，推荐栅极驱动电压为-4.5 和+18V（-8 至+22V）。
　　封装尺寸为 38 x 25mm SOT-227，带有隔离背板，适用于散热器安装，隔离电压额定为 4kVac。
　　无论是否采用肖特基二极管，MOSFET 结壳热阻均为 0.23°C/W，对于 8.4mΩ器件，任何安装的肖特基二极管也具有 0.23°C/W 的热阻。
　　除了太阳能逆变器外，“SemiQ 还针对能源存储系统、电池充电和服务器电源供应的模块”，它表示。“所有器件都已通过晶圆级栅氧化层烧蚀测试筛选，并已测试超过 1400V。”

关键词： MOSFET

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