10 x 12mm 650V MOSFET命中3.74ΩNC和8Ωpf

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-03-27 10:57:03 | 1564 次阅读

  Vishay声称其的650V超级装置MOSFET的行业RD(ON).QG和RDS(ON).co(on).co(er)。
 
  SIHK050N65E是一种针对功率因数校正的N通道设备,随后的DC-DC转换器块为6kW。
  典型的抗性为48mΩ(25°C,10VGS),门电荷可以为78NC(16A,520V,10VGS)。
  Vishay说:“该设备解决了200至277VAC输入和Open Compute项目的ORV3标准。”它可以“解决服务器电源中的特定钛效率要求,或达到96%的峰值效率,[和]旨在通过100%UIS测试来承受在雪崩模式下在雪崩模式下的过电压瞬变。”
  对于硬开关,例如在PFC和两转弯转换器中,典型的有效输出电容CO(ER)和CO(TR)分别为167pf和1.119nf。
  包装为10 x 12mm的表面安装收费,并提供了开尔文连接以改善门驱动器。
关键词:意法半导体

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