TO-247中的600V24MΩ超连接MOSFET

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-02-26 10:30:06 | 87 次阅读

  东芝宣布了一个600V超级结MOSFET,在TO-247封装(20MΩTYP)中抗性为24MΩ。

  东芝TK024N60Z1 600V MOSFET

  典型的栅极电荷为37NC(400VD,10VG,80A),总门电荷(Gate-Source + Gate-Drain)为140nc。
  内在二极管的反向恢复为8.5c和425ns,均为400V,40A,100A/S和VG = 0。
  该公司表示:“ TK024N60Z1使用DTMOSVI 600V工艺实现低抗性和减少的传导损失。” “这使每单位面积的排水源抗性约为13%。更重要的是,与东芝的DTMOSIV-H产物相比,排水源的抗性时间栅极电荷降低了约52%。”
  在数据中心服务器,工业设备和光伏电脑中预见了应用。
  该公司具有用于电路功能验证的G0香料模型,以及包括瞬态特征的更准确的G2香料模型。

关键词:MOSFET

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