圭步微电子发布全球首颗8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片
我司荣幸地宣布一项具有里程碑意义的技术成果：经过团队的不懈努力和深入研究，我们成功研发出了业界首颗高性能8发8收CMOS工艺4D成像雷达射频单芯片。目前芯片测试性能优异...
分类：新品快报 时间：2024/7/16 阅读：244 关键词：雷达射频单芯片
近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出笔记本电脑与平板系列超小尺寸全局快门图像传感器SC038MPC(0.3MP)及SC020MPC(0.16MP)。...
分类：新品快报 时间：2024/7/12 阅读：321 关键词：CMOS图像传感器
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示：“几十年来，用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)（如 CPU 和 GPU）的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人...
分类：业界动态 时间：2024/7/2 阅读：204 关键词：CMOS芯片
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...
分类：新品快报 时间：2024/6/26 阅读：297 关键词：英飞凌
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为...
分类：新品快报 时间：2024/6/25 阅读：284 关键词：英飞凌
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...
分类：新品快报 时间：2024/6/14 阅读：411 关键词：英飞凌
纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...
分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：277 关键词：碳化硅MOSFET
长光辰芯发布全新4K线阵产品——GL7004，该产品具备高行频、低功耗、高集成度等优势，同时相比于同类型产品性价比更高。GL7004进一步拓展了长光辰芯的线阵产品线，为用户在...
分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：303 关键词：长光辰芯
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英...
分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：259 关键词： MOSFET系列
NXP - 恩智浦率先推出28nm RFCMOS雷达单芯片系列，助力软件定义汽车构建ADAS架构
·专为分布式雷达架构设计的新一代雷达单芯片旨在促进从当今边缘计算传感器无缝过渡到未来分布式串流传感器的进程 ·恩智浦的完整系统解决方案支持软件定义雷达，包括360度传感器融合、更出色的传感器分辨率和基于人工智能的物体分类...
时间：2024/5/27 阅读：32 关键词：电子
1.用指针式万用表检测 判别内无保护二极管的VMOS场效应管的引脚极性，可按照以下两步进行。 （1）判定栅极G。将万用表置于R×1k挡，分别测量三个电极之间的电阻，如...
设计应用 时间：2024/6/19 阅读：149
“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...
设计应用 时间：2024/6/14 阅读：328
使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性
绘制漏极电流与漏极电压的关系图 我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...
设计应用 时间：2024/6/11 阅读：699
在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存档并单击“最新模型”来找到它。在那里，您将看到适用于不同 CMOS 工艺节点的大量 SPIC...
设计应用 时间：2024/6/6 阅读：294
东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗
通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，开关电源起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常...
新品速递 时间：2024/6/5 阅读：287
碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...
基础电子 时间：2024/5/31 阅读：278
ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。 近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400...
新品速递 时间：2024/5/24 阅读：1217
ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与...
新品速递 时间：2024/5/24 阅读：737
PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一种常见的场效应晶体管（FET），其工作原理如下： PMOS管由一个p型的沟道和两个n型的源极和漏极组成。在沟道和源极之间存在一个绝缘层，称为氧化层或门绝缘层。在氧化层上方有一个金...
基础电子 时间：2024/5/20 阅读：287
我们不会进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍 SPICE 仿真，以帮助您更全面地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文重点讨论开关功率——输出电压变化时电容...
设计应用 时间：2024/5/20 阅读：299
