思特威全新推出超星光级1/2.8英寸高清夜视全彩CMOS图像传感器
CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），正式推出其Star Light（SL）超星光级系列智能安防应用图像传感器新品——SC185SL。作为1/2.8英寸大靶面背照式...
分类：新品快报 时间：2026/8/19 阅读：11547 关键词：思特威
思特威推出13MP及5MP消费电子应用CMOS图像传感器升级新品
CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens，股票代码688213），宣布推出两款消费电子应用CMOS图像传感器升级新品——SC1325CS和SC525CS。两款新品均基于思特威SmartClarity-3...
分类：新品快报 时间：2026/8/14 阅读：16225 关键词：思特威
Infineon-麦米电气采用英飞凌CoolMOS 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器
中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）最...
时间：2026/7/27 阅读：108 关键词：Infineon
SmartSens-“暗光之王”系列再增新品！思特威推出800万像素4K高清超星光级智能安防应用CMOS图像传感器
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出800万像素4K高清Star Light(SL)超星光级智能安防应用图像传感器——SC855SL。作为1/1.8"靶面尺寸的背照式图像传感器，SC855SL基于思特威先...
时间：2026/7/23 阅读：110 关键词：SmartSens
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实...
分类：新品快报 时间：2026/7/13 阅读：15905 关键词：SiC MOSFET
7月，国产MOS管市场出现了较为明显的全线涨价行情，从低压小信号管到中高压功率器件，多个常规型号出现不同程度调价上涨。结合近期线下渠道反馈来看，这一轮涨价并不是单一...
分类：维库行情 时间：2026/7/10 阅读：406
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基...
分类：新品快报 时间：2026/7/1 阅读：8715 关键词：东芝
思特威全新推出4K 1/3英寸智能安防应用CMOS图像传感器
思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出4K 1/3英寸智能安防应用CMOS图像传感器——SC832HAI。新品基于思特威SmartClarity-3技术平台打造，搭载思特威Lightbox IR、Sm...
分类：新品快报 时间：2026/6/26 阅读：10879 关键词：思特威
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，...
分类：新品快报 时间：2026/6/17 阅读：21183 关键词：MOSFET
大疆推 Pocket 4P：双主摄与 1 英寸 CMOS 结合，售价 3799 元起引关注
大疆正式推出了新一代口袋云台相机 ——Osmo Pocket 4P，这款产品带来了诸多令人瞩目的升级。 此次新品的核心亮点之一是首次采用了双主摄影像系统。Pocket 4P 搭载了一...
分类：新品快报 时间：2026/6/16 阅读：19151 关键词：大疆
在电子电路设计领域，MOS 管和 IGBT 管是极为常见的元件，它们都能作为开关元件发挥作用，而且在外形及特性参数方面也有一定的相似性。然而，为何有些电路选用 MOS 管，而另一些电路则采用 IGBT 管呢？下面我们就来深入了解一下，MOS 管...
基础电子 时间：2026/7/9 阅读：213
MOS 管在电子电路中应用广泛，但它可能会遭受与其他功率器件相同的故障，了解这些故障产生的原因对于保障电路的稳定运行至关重要。MOS 管可能出现的故障包括过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料...
基础电子 时间：2026/7/8 阅读：227
在射频功率放大器领域，尽管近年来氮化镓晶体管凭借其在宽频段、高频段场景的出色表现而得到广泛应用，但在从高频（HF）到超高频（UHF）区间的高功率放大器中，横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术依然占据主导地位，其地位难以撼动。...
基础电子 时间：2026/7/3 阅读：374
在版图设计中，MOS 管的匹配精度对电路性能起着决定性的作用。提升匹配精度的关键在于遵循特定的匹配规则和布局原则。这些规则使用低度（minimal）、中等（moderate）和精确（precise）来表示不断增加的匹配精度，具体解释如下： 低度...
基础电子 时间：2026/7/3 阅读：431
金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal - Oxide - Semiconductor Field - Effect Transistor，简称 MOSFET），作为现代电子技术领域中不可或缺的关键元器件，在开关电源设计里占据着举足轻重的地位。开关电源作为现代电力转换和管理的核心...
基础电子 时间：2026/7/1 阅读：369
深入解析 MOSFET 在开关电源领域超越 BJT 的显著优势
在当今的电子工程领域，电源设计一直是至关重要的环节。从几十年前开始，电源设计师和工程师们就不断探索创新的能量转换方案。早期，线性电源是工程师们的主要选择。线性电...
设计应用 时间：2026/6/25 阅读：509
近日，行业聚焦于汽车电子领域中 MOSFET 的栅极驱动设计。若将 MOSFET 比作汽车功率驱动的 “肌肉”，那么栅极驱动电路就是控制这块 “肌肉” 的 “神经信号”，其设计直接...
设计应用 时间：2026/6/17 阅读：1030
在电力电子拓扑领域，各类感性负载如电机绕组、变压器漏感、继电器线圈等十分常见。当硅基 MOSFET 高速关断时，若这些感性负载产生的反电动势无法及时释放，就会迫使 MOSFET 进入雪崩击穿状态，这种工况被称为 UIS（Unclamped Inductive ...
基础电子 时间：2026/6/9 阅读：655
在当今电子科技飞速发展的时代，摩尔定律持续推动着 MOSFET 栅极 CD 不断微缩。然而，在这一进程中，短沟道效应（SCE）、漏致势垒降低（DIBL）、阈值电压滚降（Vth Roll - off）等问题逐渐凸显，成为制约平面 MOS 小型化的核心瓶颈。LDD...
基础电子 时间：2026/6/9 阅读：316
深度解析模拟集成电路的三种关键电容：MOM、MIM 与 MOS
在模拟与射频集成电路设计里，电容作为实现储能、滤波、耦合及去耦等关键功能的被动元件，起着至关重要的作用。其中，金属 - 氧化物 - 金属（MOM）、金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）与金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）电容，由于它们在结构与...
设计应用 时间：2026/6/3 阅读：421
