Vishay新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性 美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，...
时间：2025/6/13 阅读：28 关键词：Vishay
Smartsens-思特威推出首颗医疗应用200万像素CMOS图像传感器
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出2MP超小尺寸医疗应用CMOS图像传感器——SC1400ME。此款新品基于思特威先进的SmartClarity-3技术平台打造，搭载了思特威专利SFCPixel技术，...
时间：2025/6/12 阅读：43 关键词：Smartsens
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出2MP超小尺寸医疗应用CMOS图像传感器——SC1400ME。此款新品基于思特威先进...
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 ...
分类：新品快报 时间：2025/6/4 阅读：2458 关键词：ROHM
Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSF...
分类：新品快报 时间：2025/5/30 阅读：3399 关键词：Vishay
Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...
时间：2025/5/29 阅读：60 关键词：Toshiba
Infineon - 英飞凌OptiMOS6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准
随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码...
时间：2025/5/28 阅读：67 关键词：Infineon
Axiometrix-新闻稿发布：数据分析软件imc FAMOS 2025全球同步发布
集成AI助手，更快、更智能：自FAMOS推出以来的重大技术革新 Axiometrix Solutions工业测试集团旗下制造商imc Test&Measurement，其最新一代数据分析软件FAMOS 2025，将于两大行业盛会斯图加特国际汽车测试展（ATE）和日本汽车工程...
时间：2025/5/27 阅读：52 关键词：Axiometrix
Smartsens-思特威推出1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器——SC1200IOT。产品基于思特威先进的SmartClarity-3技术平台打造，搭载了思特威SFCPixel专利技术，拥...
时间：2025/5/21 阅读：70 关键词：Smartsens
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...
分类：新品快报 时间：2025/5/21 阅读：2273 关键词：SiC MOSFET
时间：2025/6/9 阅读：
CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor, CIS）知识介绍CMOS图像传感器是一种基于 互补金属氧化物半导体（CMOS） 技术的图像传感芯片，用于将光学图像转换为电信号，广泛应用于数码相机、智能手机、安防监控、医疗影像等领域。与传统的CCD（...
基础电子 时间：2025/6/6 阅读：120
在低压差线性稳压器（LDO）的设计中，MOS 管扮演着至关重要的角色，它作为调整元件，通过改变自身的导通电阻来维持输出电压的稳定。其工作原理是：当输出电压发生变化时，...
设计应用 时间：2025/6/4 阅读：217
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间：2025/5/30 阅读：228
在当今科技飞速发展的时代，人工智能（AI）应用呈现出蓬勃发展的态势，其对高性能内存，特别是高带宽内存（HBM）的需求也在持续增长。这一趋势使得内存芯片的设计变得愈发...
技术方案 时间：2025/5/29 阅读：178
在电路设计领域，MOS 管是一种极为常见且关键的电子元件。按照驱动方式进行分类，MOS 管主要分为 N - MOS 管和 P - MOS 管两种类型。虽然 MOS 管的驱动方式与三极管有一定...
设计应用 时间：2025/5/27 阅读：114
在嵌入式数模电领域，MOS 管是一种至关重要的电子元件，广泛应用于各种电路中。本文将为大家全面汇总 MOS 管的经典知识，帮助大家快速了解和掌握 MOS 管的相关特性。快速了解 MOS 管快速辨认 NMOS 和 PMOS通过观察箭头方向可以快速辨认 N...
基础电子 时间：2025/5/26 阅读：168
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）都是现代电力电子中的核心开关器件，但它们在结构、特性和应用场景上有显著差异。以下是两者的详细对比： 1. 基本结构与工作原理特性IGBTMOSFET结构MOSFET + 双极...
基础电子 时间：2025/5/19 阅读：288
ROHM 小型 MOSFET “AW2K21”：超低导通电阻助力快速充电革新
在当今电子设备飞速发展的时代，快速充电技术已经成为了众多消费者和制造商关注的焦点。为了满足市场对于快速充电的需求，全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）于 2025 年 5 月 15 日宣布，推出一款具有突破性的 30V 耐压共...
基础电子 时间：2025/5/16 阅读：252
全面剖析 LDO 原理，对比 PMOS LDO 和 NMOS LDO 特性差异
在电子电路设计中，电压稳定是保障设备正常运行的关键因素之一。LDO（低压差线性稳压器）作为一种重要的电源管理元件，在众多领域发挥着不可或缺的作用。本文将深入探讨 LD...
设计应用 时间：2025/5/13 阅读：236
