东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基...
分类：新品快报 时间：2026/7/1 阅读：8406 关键词：东芝
思特威全新推出4K 1/3英寸智能安防应用CMOS图像传感器
思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出4K 1/3英寸智能安防应用CMOS图像传感器——SC832HAI。新品基于思特威SmartClarity-3技术平台打造，搭载思特威Lightbox IR、Sm...
分类：新品快报 时间：2026/6/26 阅读：10606 关键词：思特威
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，...
分类：新品快报 时间：2026/6/17 阅读：20893 关键词：MOSFET
大疆推 Pocket 4P：双主摄与 1 英寸 CMOS 结合，售价 3799 元起引关注
大疆正式推出了新一代口袋云台相机 ——Osmo Pocket 4P，这款产品带来了诸多令人瞩目的升级。 此次新品的核心亮点之一是首次采用了双主摄影像系统。Pocket 4P 搭载了一...
分类：新品快报 时间：2026/6/16 阅读：19008 关键词：大疆
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3.3mm×3.3mm）封装，与车载MOSFET中常见的TO...
时间：2026/6/15 阅读：83 关键词：ROHM
英飞凌推出OptiMOS 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公...
分类：新品快报 时间：2026/6/12 阅读：19615 关键词：MOSFET
Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破，相较目前市面同类 1200 V 竞品方案，效率最高可提升27% 该项技术彰显 Wolfspeed 深...
分类：新品快报 时间：2026/6/11 阅读：11128 关键词：Wolfspeed
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3....
分类：新品快报 时间：2026/5/29 阅读：18184 关键词：ROHM
Toshiba-东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD 系列IC样品
－集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器，实现小型车载电机的直接驱动－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电...
时间：2026/5/26 阅读：112 关键词：Toshiba
Toshiba-东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗...
时间：2026/5/26 阅读：120 关键词：Toshiba
在射频功率放大器领域，尽管近年来氮化镓晶体管凭借其在宽频段、高频段场景的出色表现而得到广泛应用，但在从高频（HF）到超高频（UHF）区间的高功率放大器中，横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术依然占据主导地位，其地位难以撼动。...
基础电子 时间：2026/7/3 阅读：319
在版图设计中，MOS 管的匹配精度对电路性能起着决定性的作用。提升匹配精度的关键在于遵循特定的匹配规则和布局原则。这些规则使用低度（minimal）、中等（moderate）和精确（precise）来表示不断增加的匹配精度，具体解释如下： 低度...
基础电子 时间：2026/7/3 阅读：314
金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal - Oxide - Semiconductor Field - Effect Transistor，简称 MOSFET），作为现代电子技术领域中不可或缺的关键元器件，在开关电源设计里占据着举足轻重的地位。开关电源作为现代电力转换和管理的核心...
基础电子 时间：2026/7/1 阅读：317
深入解析 MOSFET 在开关电源领域超越 BJT 的显著优势
在当今的电子工程领域，电源设计一直是至关重要的环节。从几十年前开始，电源设计师和工程师们就不断探索创新的能量转换方案。早期，线性电源是工程师们的主要选择。线性电...
设计应用 时间：2026/6/25 阅读：344
近日，行业聚焦于汽车电子领域中 MOSFET 的栅极驱动设计。若将 MOSFET 比作汽车功率驱动的 “肌肉”，那么栅极驱动电路就是控制这块 “肌肉” 的 “神经信号”，其设计直接...
设计应用 时间：2026/6/17 阅读：950
在电力电子拓扑领域，各类感性负载如电机绕组、变压器漏感、继电器线圈等十分常见。当硅基 MOSFET 高速关断时，若这些感性负载产生的反电动势无法及时释放，就会迫使 MOSFET 进入雪崩击穿状态，这种工况被称为 UIS（Unclamped Inductive ...
基础电子 时间：2026/6/9 阅读：596
在当今电子科技飞速发展的时代，摩尔定律持续推动着 MOSFET 栅极 CD 不断微缩。然而，在这一进程中，短沟道效应（SCE）、漏致势垒降低（DIBL）、阈值电压滚降（Vth Roll - off）等问题逐渐凸显，成为制约平面 MOS 小型化的核心瓶颈。LDD...
基础电子 时间：2026/6/9 阅读：238
深度解析模拟集成电路的三种关键电容：MOM、MIM 与 MOS
在模拟与射频集成电路设计里，电容作为实现储能、滤波、耦合及去耦等关键功能的被动元件，起着至关重要的作用。其中，金属 - 氧化物 - 金属（MOM）、金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）与金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）电容，由于它们在结构与...
设计应用 时间：2026/6/3 阅读：333
在电子电路设计领域，MOS 管驱动电路的设计至关重要，其核心目标之一便是实现 MOS 管的快速开启和关闭。这不仅能提高电路的工作效率，还能降低功耗和发热，提升系统的稳定性和可靠性。 通常认为 MOSFET（MOS 管）是电压驱动型器件，无...
基础电子 时间：2026/6/1 阅读：179
在控制器电路中，MOS（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）扮演着至关重要的角色。MOS 的工作状态主要分为开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）以及截止状态。 MOS 的主要损耗也与这...
设计应用 时间：2026/6/1 阅读：175
