ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060（4.9mm×6.0mm）和DFN3333（3....
分类：新品快报 时间：2026/5/29 阅读：10157 关键词：ROHM
Toshiba-东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD 系列IC样品
－集成3相直流无刷电机驱动电路与微控制器，实现小型车载电机的直接驱动－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电...
时间：2026/5/26 阅读：56 关键词：Toshiba
Toshiba-东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗...
时间：2026/5/26 阅读：61 关键词：Toshiba
ROHM-罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗...
时间：2026/5/25 阅读：73 关键词：ROHM
东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时...
分类：新品快报 时间：2026/5/22 阅读：17310 关键词：SiC MOSFET
东芝开始提供面向电机驱动、内置MOSFET的新款SmartMCD系列IC样品
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始提供“TB9M040FTG”的工程样品。TB9M040FTG是一款内置功率MOSFET，用于3相直流无刷电机驱动的电机控制器件。...
分类：新品快报 时间：2026/5/15 阅读：17538 关键词：东芝
Vishay-Vishay推出车规级光伏MOSFET驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本
器件开路电压为20 V、短路电流20μA、导通时间80μs，采用SMD-4封装，模塑材料CTI达600，爬电距离8mm 日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款首度采用紧凑型SMD-4封装的全新车规级光伏MOSFET...
时间：2026/5/7 阅读：95 关键词：Vishay
思特威推出全新2MP及4MP高性能智能安防应用CMOS图像传感器
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出高性能智能安防应用CMOS图像传感器——SC2338V(2MP)和SC4338V(4MP)。两款新...
分类：新品快报 时间：2026/4/30 阅读：21695 关键词：思特威
思特威推出首颗搭载LOFIC技术的2亿像素超高动态范围手机应用CMOS图像传感器
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出2亿像素0.61μm像素尺寸超高动态范围手机应用图像传感器新品——SCC90XS。S...
分类：新品快报 时间：2026/4/24 阅读：21867 关键词：思特威
Axiometrix-新闻稿发布：信号分析软件FAMOS 2026+AI
从工程测量信号中更快获取核心洞见 Axiometrix Solutions工业测试集团旗下制造商imc Test&Measurement，正式发布其旗下工程信号分析软件的最新版本FAMOS 2026+AI。本次新版本升级强化了AI辅助工作流，同时新增了信号处理、数据可...
时间：2026/4/22 阅读：54 关键词：Axiometrix
在电子电路设计领域，MOS 管驱动电路的设计至关重要，其核心目标之一便是实现 MOS 管的快速开启和关闭。这不仅能提高电路的工作效率，还能降低功耗和发热，提升系统的稳定性和可靠性。 通常认为 MOSFET（MOS 管）是电压驱动型器件，无...
基础电子 时间：2026/6/1 阅读：70
在控制器电路中，MOS（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）扮演着至关重要的角色。MOS 的工作状态主要分为开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）以及截止状态。 MOS 的主要损耗也与这...
设计应用 时间：2026/6/1 阅读：68
晶体管作为电子领域中一个基础且关键的组件，虽看似简单，却能构建出众多有趣且实用的电路。在本文中，我们将深入了解晶体管的工作原理，以便在后续的电路设计中能合理运用它们。 一旦掌握了晶体管的基本知识，其应用其实并非难事。我...
基础电子 时间：2026/5/27 阅读：219
在电子电路领域，P 沟道 MOS 管是一种极为重要的电子元件，它就像一个智能的电子开关，精准地控制着电流的通断。P 沟道 MOS 管的独特之处在于，它如同一个 “反向” 水龙头...
设计应用 时间：2026/5/26 阅读：211
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，其核心材质多为二氧化硅（SiO），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重...
设计应用 时间：2026/5/22 阅读：569
在电子电路的广阔领域中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）无疑是一颗璀璨的明星，被广泛应用于开关电源、驱动电路、功率控制电路等众多场景。熟悉硬件电路与半导体器件的专业人士都清楚，MOSFET 本质上是一种四端器件，它...
基础电子 时间：2026/5/20 阅读：303
功率 MOSFET 无疑是工程师们在电子设计中最常用的器件之一。然而，MOSFET 的器件选型是一个复杂且需要综合考虑多方面因素的过程，小到 N 型与 P 型的选择、封装类型的确定，大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等参数的考量，不同的应用场景有...
基础电子 时间：2026/5/20 阅读：155
在电子电路设计中，NMOS（N 沟道金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 沟道金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是极为重要的元器件，深入了解它们的导通条件与使用方法对于电路设计的优化至关重要。 一、电路符号 MOS...
基础电子 时间：2026/5/19 阅读：246
在功率器件的可靠性评估体系中，可靠性测试无疑是验证其长期稳定性的关键环节。不过，器件失效的原因并非总是源于器件本体，有时候问题可能隐藏在外部封装的细微之处。本文将深入剖析一个典型的失效案例：某 MOSFET 在经过可靠性测试后，...
基础电子 时间：2026/5/18 阅读：199
在电子电路领域，巧妙的设计往往能带来独特的功能实现。其中，将两个 MOS 管背靠背串联，就能够组成双向开关。 双向开关是一种由 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应...
设计应用 时间：2026/5/15 阅读：362
