基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满...
时间：2025/7/23 阅读：12 关键词：ST
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，推出Automotive Sensor(AT)Series系列3MP车规级图像传感器性能升级新品——SC326AT...
分类：新品快报 时间：2025/7/11 阅读：2794 关键词：思特威
Wolfspeed 1700 V MOSFET 技术：重塑辅助电源系统耐用性与成本的利器
在众多领域，如电机驱动、电动汽车、快速充电器以及可再生能源系统中，低功耗辅助电源虽常被忽视，但却是保障系统高效运行的关键。设计人员在提高系统可靠性、减小系统尺寸...
分类：新品快报 时间：2025/7/5 阅读：2712 关键词：Wolfspeed
CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场，英飞凌助力功率电子应用升级
德国慕尼黑传来消息，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系...
分类：新品快报 时间：2025/7/2 阅读：2541 关键词：MOSFET
Infineon-英飞凌CoolMOS8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性...
时间：2025/6/24 阅读：89 关键词：Infineon
思特威重磅发布 50MP 超高动态范围手机 CMOS 图像传感器
思特威于宣布推出一款具有重大意义的产品 ——50MP 超高动态范围手机应用 CMOS 图像传感器。 CMOS 图像传感器作为手机摄像头的核心部件，对于手机拍摄的成像质量起着决...
分类：名企新闻 时间：2025/6/19 阅读：553 关键词：思特威
当今科技飞速发展的时代，半导体技术作为现代电子技术的基石，正面临着新的挑战与机遇。硅（Si）作为应用最为广泛的半导体材料，凭借其丰富的储量和微型化优势，推动了半导...
分类：业界动态 时间：2025/6/18 阅读：526 关键词：半导体
Vishay新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性 美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前，威世科技Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，...
时间：2025/6/13 阅读：122 关键词：Vishay
Smartsens-思特威推出首颗医疗应用200万像素CMOS图像传感器
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出2MP超小尺寸医疗应用CMOS图像传感器——SC1400ME。此款新品基于思特威先进的SmartClarity-3技术平台打造，搭载了思特威专利SFCPixel技术，...
时间：2025/6/12 阅读：90 关键词：Smartsens
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，全新推出2MP超小尺寸医疗应用CMOS图像传感器——SC1400ME。此款新品基于思特威先进...
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件取决于其类型（N沟道或P沟道）和工作模式（增强型或耗尽型）。以下是详细分析：1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET（NMOS）增强型（常闭型）：栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth（正电...
基础电子 时间：2025/7/22 阅读：190
1. 基本定义TTL电平（Transistor-Transistor Logic）基于双极型晶体管（BJT）的逻辑电平标准，主要用于早期数字电路（如74系列芯片）。电压范围：逻辑 1（高电平）：≥2.4V（典型5V供电）。逻辑 0（低电平）：≤0.8V。CMOS电平（Compleme...
基础电子 时间：2025/7/16 阅读：159
在电子世界的晶体管家族中，NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）宛如一对默契配合的 “电子开关”，精准掌...
设计应用 时间：2025/7/15 阅读：188
在现代电子技术领域，Mos 管（场效应管）是一种至关重要的电子元件，它在众多电子设备和电路中都有着广泛的应用。下面我们将从 Mos 管的简介、结构、工作原理、分类、部分...
设计应用 时间：2025/7/14 阅读：176
ADI CMOS 开关 ADG1412 取代 PhotoMOS 开关方案解析
在自动测试设备（ATE）的相关应用中，ADI 的互补金属氧化物半导体（CMOS）开关脱颖而出，成为了进行存储器晶圆探针电源测试的理想之选。它具有快速导通速度和良好的可扩展...
技术方案 时间：2025/7/11 阅读：219
安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器：电动汽车电力系统创新引领者
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下，全球范围内从化石燃料向电动汽车（EV）的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者，电动汽车必...
设计应用 时间：2025/7/10 阅读：171
在电子元器件的领域中，功率半导体器件 MOSFET 占据着举足轻重的地位。如果说晶体管能够被称为 20 世纪最伟大的发明，那么毫无疑问，MOSFET 在其中功不可没。早在 1925 年，关于 MOSFET 基本原理的专利就已发表，1959 年贝尔实验室发明了...
基础电子 时间：2025/7/10 阅读：126
在电子电路中，MOS 管和三极管是非常重要的电子元件，而它们电路中的电阻和电容也发挥着不可或缺的作用。本文将详细解释三极管中电容 C25 的滤波作用和基极电阻 R35、R37 的功能，以及 MOS 管栅极电阻 R42、R43 的限流与开启特性，同时强...
基础电子 时间：2025/7/9 阅读：187
PMOS管工作原理及详解PMOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，P沟道金属氧化物半导体场效应管）是一种基于空穴导电的场效应晶体管，与NMOS管互补，共同构成CMOS技术的基础。以下是其工作原理、特性及应用...
基础电子 时间：2025/7/7 阅读：178
一、核心导通原理P沟道MOS管（PMOS）的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS 低于阈值电压 VGS(th)VGS(th)（典型值-0.5V至-5V）时，栅极下方的P型半导体中会感应出空穴导电通道，实现源极（S）和漏极（D）之...
基础电子 时间：2025/6/25 阅读：236
