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Axiometrix Solutions工业测试集团旗下制造商imc Test & Measurement，发布了最新版imc FAMOS 2024数据分析软件。imc FAMOS 2024为工程师、研究人员和技术人员提供了一款增强型的数据分析软件，新版本进一步提升用户体验，新增“开始...

时间：2024/4/16 阅读：9 关键词：电子

英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS 7

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高...

分类：新品快报时间：2024/4/16 阅读：345 关键词：电子

80V 对称双 N 沟道 MOSFET，尺寸为 3 x 3mm

New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。　　Vishay SiZF4800LDT 双...

分类：新品快报时间：2024/4/3 阅读：258

意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效

STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。　　　这些硅基晶体管具有出色的...

分类：新品快报时间：2024/4/1 阅读：302 关键词：MOSFET

Teledyne e2v扩展适用于三维激光三角测量应用的Flash系列CMOS图像传感器

Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash? CMOS图像传感器系列，推出Flash 2K LSA，该产品专门适用于需要使用大沙伊姆弗勒角度...

分类：新品快报时间：2024/3/25 阅读：230 关键词：电子

Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性...

时间：2024/3/21 阅读：26 关键词：电子

Infineon - 英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损...

时间：2024/3/21 阅读：30 关键词：电子

Infineon - 英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...

时间：2024/3/21 阅读：61 关键词：电子

英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型...

分类：新品快报时间：2024/3/21 阅读：285 关键词：英飞凌

英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列...

分类：新品快报时间：2024/3/18 阅读：343 关键词：电子

MOS技术

BiCMOS 运算放大器的知识

BiCMOS 逻辑系列　　BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上，结合了两个系列的优点。双极逻辑系列具有更高的开关速度和更高的输出驱动电流容量。CMOS 系...

设计应用时间：2024/4/16 阅读：336

使用逻辑信号、交流耦合和接地栅极驱动 CMOS 图腾柱

尽管大规模集成在当代电子设计中无处不在，但经典 CMOS 图腾柱拓扑中的分立 MOSFET 有时仍然是不可或缺的。这使得使用逻辑电平信号有效驱动它们的提示和技巧同样有用，因为...

设计应用时间：2024/4/10 阅读：507

功率 MOSFET 特性双脉冲测试

IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有给出有关实际设计和可能的陷阱的进一步细节。　　双脉冲有什么用？　　图 1 显示了可...

设计应用时间：2024/3/7 阅读：195

MOSFET工作原理和特点

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，常用于电子设备中作为开关或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特点：工作原理：结构：MOSFET通常由栅极（Gat...

基础电子时间：2024/3/4 阅读：290

MOSFET 共源放大器的频率响应

之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适用于低频操作。为了了解共源 (CS) 放大器如何在较高频率下工作，我们需要更详细地检查...

设计应用时间：2024/2/29 阅读：170

MOSFET共源放大器简介

放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑。它们根据哪个晶体管端子是输入、哪个是输出来区分。　　在...

设计应用时间：2024/2/22 阅读：246

MOS管的四种类型

1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图...

基础电子时间：2024/2/20 阅读：208

MOS开关设计

开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被...

设计应用时间：2024/1/23 阅读：806

什么是耗尽型 MOSFET？

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器件，涵盖信号放大到数字应用，例如逻辑门和寄存器或存储器阵列。　　耗尽型 n 沟道 MOSFET。图片由新泽西半导体产品公司提供　　...

基础电子时间：2024/1/18 阅读：850

续流二极管的存储电荷对功率 MOSFET 导通损耗的影响

两种损失　　原则上，功率半导体有两种损耗：通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断损耗。通态损耗由电流、通态电压（对于 MOSFET，由其 R DSon）和占空比决定。在描述功...

设计应用时间：2024/1/17 阅读：717

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