南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2025-03-24 11:24:50 | 419 次阅读

  南芯科技(证券代码:688484)宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911,该芯片配备 I2C 接口,专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化,可有效降低外壳温升,为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能,兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式,助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。
 
  集成MOS方案,兼具三大亮点
  在传统升降压控制器搭配外置 MOS 的方案中,由于布板限制,PCB 走线往往过长,导致功率管驱动速率受限,从而影响整体效率。相比之下,SC8911 采用高度集成化的设计,集成了 3 路 NMOS 驱动,兼具高效率、低成本、小尺寸三大亮点。在紧凑型应用中,SC8911 还具备以下优势:
  ? 效率大幅提升。通过内置功率管,SC8911 能够实现 4V/ns 以上的更高的开关速率,从而显著降低开关损耗。经测试,SC8911 可实现 97.6% 的效率,即使在发热严重的恶劣工况下(如电池电压 6V、输出 20V/1.5A),系统效率仍可达到 93.5%,PCBA 温度仅 69℃,显著优于行业平均水平。
  ? PCB 布局更友好。内置功率管确保了足够小的驱动回路和功率回路路径,且在封装引脚设计上,也充分考虑了输入输出电容放置的便捷性。因此,SC8911 能够在保证高开关速度的同时,轻松应对 EMI 挑战。
  ? 散热性能卓越。SC8911 采用了 4mm*5mm QFN-27 Flip chip 倒装封装方式,IC 内部的功率损耗热量可以通过封装铜柱直接传导至 PCB,有效增强了芯片的散热能力。


关键词:充电芯片

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