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MOSFET模块

配合模块自身输出的RTC信号实现短路保护！ ISAHAYA ELECTRONICS制造的栅极驱动单元"VLB512-01R" "VLB519-01R" 目前，为了提高设备的效率和小型化，SiC MOSFET模块在工业设备领域的采用也正在加速。三菱电机正在陆续推出内置原...

时间：2023/8/30 阅读：163

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...

分类：新品快报时间：2023/8/30 阅读：434 关键词：MOSFET模块

三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流...

分类：新品快报时间：2023/5/15 阅读：267 关键词：MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批...

分类：新品快报时间：2022/2/11 阅读：585 关键词：Toshiba

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流...

分类：新品快报时间：2022/2/10 阅读：3637

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。FDMS36XXS系列产品采用飞兆半导体先进的电荷平衡架构(屏蔽栅极技术)和先进封装技术，可在高性能计算的额定击穿电压下，获得

分类：新品快报时间：2011/6/15 阅读：1088 关键词：Fairchild MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。为达到175℃的通道温度，...

新品速递时间：2021/5/18 阅读：888