类别：新品快报 出处：网络整理 发布于：2023-05-15 11:26:30 | 270 次阅读
产品特点
集成SBD的SiC-MOSFET，降低功率损耗，提高变流器输出功率、效率和可靠性
采用集成SBD的SiC MOSFET和优化的封装结构，与公司现有的硅功率模块相比，开关损耗降低了91%*4，与现有的全SiC功率模块相比降低了66%*5，从而降低了变流器功率损耗，并有助于提高输出功率和效率。
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