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Infineon-英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2,适用于汽车和工业功率电子应用

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出新型CoolSiCMOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系...

时间:2025/7/24 阅读:53 关键词:Infineon

ST-SiC MOSFET并联的关键技术

基于多个高功率应用案例,我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势,两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间,但分立MOSFET却能带来独特优势:设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个MOSFET无法满...

时间:2025/7/23 阅读:68 关键词:ST

Microchip-基于SiC的熔丝保护高压电气系统

在减少排放和实现净零目标的前进道路上,碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件(例如电机驱动器)或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。随着越来越多的应用集成...

时间:2025/7/15 阅读:46 关键词:Microchip

Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管,扩展宽禁带产品组合,赋能大功率基础设施

Nexperia今日宣布,在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求...

分类:新品快报 时间:2025/7/15 阅读:4291 关键词:肖特基二极管

ASIC芯片市场迎来新变局

AI算力市场正在将目光聚焦到定制化的ASIC芯片领域,并开始上演一场没有硝烟的“车轮战”:OpenAI正在初步测试部分谷歌的张量处理器(TPU);英伟达正式发布NVLink Fusion,...

分类:业界动态 时间:2025/7/8 阅读:536 关键词:ASIC芯片

2026年出货量超GPU?ASIC时代加速到来

AI算力市场正在将目光聚焦到定制化的ASIC芯片领域,并开始上演一场没有硝烟的“车轮战”:OpenAI正在初步测试部分谷歌的张量处理器(TPU);英伟达正式发布NVLink Fusion,...

分类:行业趋势 时间:2025/7/7 阅读:1054 关键词:GPU

CoolSiC MOSFET 750 V G2 登场,英飞凌助力功率电子应用升级

德国慕尼黑传来消息,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司,正式推出了新型 CoolSiC MOSFET 750 V G2。这款产品专为提升汽车及工业功率转换应用的系...

分类:新品快报 时间:2025/7/2 阅读:2541 关键词:MOSFET

2025 年 SiC 晶圆市场增速遇冷,仅达 20%

2025 年 SiC(碳化硅)晶圆市场正面临着增速放缓的局面。原本被视为电动汽车革命支柱的 SiC 功率半导体市场,如今遭遇了诸多挑战。  近年来,电动汽车需求低于预期,加上...

分类:行业趋势 时间:2025/6/5 阅读:1781 关键词: SiC 晶圆

瑞萨退出 SiC 芯片市场的多重因素

据相关报道,瑞萨电子已放弃使用新材料生产功率半导体的计划,不再计划于 “2025 年初” 在其位于群马县高崎的工厂投产碳化硅(SiC)芯片。这一决策背后,反映出当前 SiC ...

分类:业界动态 时间:2025/6/3 阅读:280 关键词:瑞萨 SiC 芯片

瑞萨放弃SiC计划

根据日经新闻报道,日本芯片制造商瑞萨电子已放弃使用新材料(SiC)生产功率半导体的计划,不再计划于“2025 年初”在其位于群马县高崎的工厂投产。  日本半导体巨头瑞萨...

分类:名企新闻 时间:2025/5/30 阅读:507 关键词:瑞萨SiC

SiC技术

安森美 EliteSiC MOSFET 与栅极驱动器:电动汽车电力系统创新引领者

在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下,全球范围内从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者,电动汽车必...

设计应用 时间:2025/7/10 阅读:169

深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势

在当今电子技术飞速发展的时代,功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET,特别适用于需要大电流处理能力和较...

设计应用 时间:2025/6/26 阅读:310

解析 Littelfuse SMFA:非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护

在当今的电源和电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步,开关损耗也在持续降低。然而,随着开关速度的不断提高,设计人...

设计应用 时间:2025/6/24 阅读:192

深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法

在电力电子领域,为了确保 SiC(碳化硅)模块的安全使用,精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温,并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...

设计应用 时间:2025/6/19 阅读:192

揭秘 SiC 市场新爆点:共源共栅(cascode)结构深度剖析

在 SiC(碳化硅)市场蓬勃发展的当下,安森美(onsemi)的 cascode FET(碳化硅共源共栅场效应晶体管)在硬开关和软开关应用中展现出了诸多优势。今天,我们将深入探讨 Cascode 结构,探寻其在 SiC 市场成为下一个爆点的潜力。Cascode 简...

基础电子 时间:2025/6/13 阅读:235

SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策

在电力电子领域的不断发展进程中,SiC MOSFET 模块由于其优异的性能,如高开关速度、低导通电阻等,被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...

设计应用 时间:2025/5/30 阅读:276

采用 SiC 辅助电源的牵引逆变器功能安全设计

在传动逆变器中,一个低功率辅助电源,通常是反激转换器,起着至关重要的作用,将 400V 或 800V 高压直流(HVDC)输入转换为低压直流(LVDC)输出。该辅助电源在故障条件下...

设计应用 时间:2025/5/8 阅读:443

SIC在芯片尺度附近的电动汽车和机车牵引力的可伸缩性

maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到电力PCB,DBC底物,甚至是重型铜铅框架的限制,从而限制了最大电流。最初的?maxpak...

设计应用 时间:2025/4/7 阅读:838

SIC门保护的不对称瞬态电压抑制二极管

瞬态保护设备  瞬态尖峰可能是由雷击,附近的机械,负载开关的电源飙升等引起的。一个例子是现代汽车,在该汽车上不断增加的车载电子设备连接到电池和交流发电机。交流发...

设计应用 时间:2025/3/27 阅读:362

将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步

Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失,这可能会主导P/N二极管损失,尤其是在较高的温度,快速转换过渡和高流动应用下。除了...

设计应用 时间:2025/3/20 阅读:396

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