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SiC资讯

2025 年 SiC 晶圆市场增速遇冷,仅达 20%

2025 年 SiC(碳化硅)晶圆市场正面临着增速放缓的局面。原本被视为电动汽车革命支柱的 SiC 功率半导体市场,如今遭遇了诸多挑战。  近年来,电动汽车需求低于预期,加上...

分类:行业趋势 时间:2025/6/5 阅读:1715 关键词: SiC 晶圆

瑞萨退出 SiC 芯片市场的多重因素

据相关报道,瑞萨电子已放弃使用新材料生产功率半导体的计划,不再计划于 “2025 年初” 在其位于群马县高崎的工厂投产碳化硅(SiC)芯片。这一决策背后,反映出当前 SiC ...

分类:业界动态 时间:2025/6/3 阅读:257 关键词:瑞萨 SiC 芯片

瑞萨放弃SiC计划

根据日经新闻报道,日本芯片制造商瑞萨电子已放弃使用新材料(SiC)生产功率半导体的计划,不再计划于“2025 年初”在其位于群马县高崎的工厂投产。  日本半导体巨头瑞萨...

分类:名企新闻 时间:2025/5/30 阅读:492 关键词:瑞萨SiC

Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

-四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度-  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...

时间:2025/5/29 阅读:80 关键词:Toshiba

Infineon-英飞凌SiC超结技术树立新标准,加速电动汽车普及与工业效率提升

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)作为碳化硅(SiC)功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者,始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前,CoolSiC产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围,应用领域包...

时间:2025/5/22 阅读:98 关键词:Infineon

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...

分类:新品快报 时间:2025/5/21 阅读:2300 关键词:SiC MOSFET

ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用

全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG(以下简称“SMA”)在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模...

时间:2025/5/19 阅读:130 关键词:ROHM

Infineon-英飞凌推出新型CoolSiC JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电

为推动下一代固态配电系统的发展,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)正在扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出了新型CoolSiC JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性,使其成为先进固态...

时间:2025/5/19 阅读:70 关键词:Infineon

TrendForce :预计 2030 年,8 英寸 SiC 晶片的出货量将超过总出货量的 20%

根据外媒报道,弱势的汽车和工业需求领域已使 N 型 SiC 衬底的收入同比减少了 9%,达到 10.4 亿美元, TrendForce 报道。  今年,SiC 衬片市场将继续面临需求疲软和供应...

分类:行业趋势 时间:2025/5/17 阅读:2446 关键词: SiC 晶片

SiC大厂,裁掉33%高管,考虑破产

据一份研究报告显示,在花旗报告称英特尔处理器市场份额跌至 2002 年以来的最低水平后,英特尔股价周三下跌约4% 。  以安德鲁·沃克 (Andrew Walker) 为首的花旗分析师写...

分类:名企新闻 时间:2025/5/15 阅读:394 关键词:SiC

SiC技术

深入解析安森美 SiC Combo JFET 技术特性与应用优势

在当今电子技术飞速发展的时代,功率器件的性能对于众多应用场景的高效运行起着关键作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET,特别适用于需要大电流处理能力和较...

设计应用 时间:2025/6/26 阅读:214

解析 Littelfuse SMFA:非对称 TVS 二极管助力 SiC MOSFET 高效栅极保护

在当今的电源和电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET 的应用正变得越来越广泛。随着功率半导体技术的不断进步,开关损耗也在持续降低。然而,随着开关速度的不断提高,设计人...

设计应用 时间:2025/6/24 阅读:163

深度解析 SiC MOSFET 模块损耗计算方法

在电力电子领域,为了确保 SiC(碳化硅)模块的安全使用,精确计算其在工作条件下的功率损耗和结温,并使其在额定值范围内运行至关重要。MOSFET 的损耗计算与 IGBT 既有相...

设计应用 时间:2025/6/19 阅读:149

揭秘 SiC 市场新爆点:共源共栅(cascode)结构深度剖析

在 SiC(碳化硅)市场蓬勃发展的当下,安森美(onsemi)的 cascode FET(碳化硅共源共栅场效应晶体管)在硬开关和软开关应用中展现出了诸多优势。今天,我们将深入探讨 Cascode 结构,探寻其在 SiC 市场成为下一个爆点的潜力。Cascode 简...

基础电子 时间:2025/6/13 阅读:200

SiC MOSFET 模块并联的动态均流难题及对策

在电力电子领域的不断发展进程中,SiC MOSFET 模块由于其优异的性能,如高开关速度、低导通电阻等,被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...

设计应用 时间:2025/5/30 阅读:243

采用 SiC 辅助电源的牵引逆变器功能安全设计

在传动逆变器中,一个低功率辅助电源,通常是反激转换器,起着至关重要的作用,将 400V 或 800V 高压直流(HVDC)输入转换为低压直流(LVDC)输出。该辅助电源在故障条件下...

设计应用 时间:2025/5/8 阅读:429

SIC在芯片尺度附近的电动汽车和机车牵引力的可伸缩性

maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到电力PCB,DBC底物,甚至是重型铜铅框架的限制,从而限制了最大电流。最初的?maxpak...

设计应用 时间:2025/4/7 阅读:824

SIC门保护的不对称瞬态电压抑制二极管

瞬态保护设备  瞬态尖峰可能是由雷击,附近的机械,负载开关的电源飙升等引起的。一个例子是现代汽车,在该汽车上不断增加的车载电子设备连接到电池和交流发电机。交流发...

设计应用 时间:2025/3/27 阅读:351

将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步

Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失,这可能会主导P/N二极管损失,尤其是在较高的温度,快速转换过渡和高流动应用下。除了...

设计应用 时间:2025/3/20 阅读:382

2 KV SIC功率模块变换1500 V系统

由于可靠性,成本和系统级别的价值提高,碳化硅碳化物的阻塞电压最高可达1700 V。通过将最新SIC CHIP生成的阻塞电压扩展到2000 V,新的可能性就会出现。现在可以更轻松地处...

设计应用 时间:2025/3/14 阅读:343

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