士兰微发布公告称，2024 年，杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“公司”）加快推进 SiC芯片技术研发及量产，具体进展如下： 2024 年，公司加快推进“士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形...
分类：名企新闻 时间：2025/4/9 阅读：370 关键词：士兰微
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 ...
时间：2025/4/1 阅读：81 关键词：英飞凌
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V的TO－247－2封装，在提升效率的同时简化设计
许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英...
Microchip推出多功能MPLAB PICkitBasic调试器
为使更多工程师能够享受更强大的编程与调试功能，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日发布MPLAB PICkit Basic在线调试器，为各层级的工程师提供高性价比解决方案。相较于其他复杂昂贵的调试器，这款经济型工具提供高速USB 2.0...
时间：2025/3/14 阅读：75 关键词：Microchip
Infineon - 英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管...
时间：2025/2/28 阅读：118 关键词： 英飞凌
Infineon - 英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提...
时间：2025/2/28 阅读：95 关键词：英飞凌
ROHM - 科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC
罗姆生产的EcoSiC产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. （以下简称“科索”）生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。强制风冷型“HFA系列”和传导散...
时间：2025/2/25 阅读：75 关键词： 科索
ROHM - 罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）签署了SiC功率元器件的长期供货协议。 UAES副总经理 郭晓...
时间：2025/2/25 阅读：123 关键词：罗姆
根据中国电子报报道，DeepSeek研究团队再放大招，公开NSA算法。同日，马斯克发布Grok 3模型，试与DeepSeek和Open AI来比高。此外，Open AI首款AI ASIC芯片即将完成，有望明...
分类：业界动态 时间：2025/2/25 阅读：271 关键词：DeepSeek
maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到电力PCB，DBC底物，甚至是重型铜铅框架的限制，从而限制了最大电流。最初的?maxpak...
设计应用 时间：2025/4/7 阅读：393
瞬态保护设备 瞬态尖峰可能是由雷击，附近的机械，负载开关的电源飙升等引起的。一个例子是现代汽车，在该汽车上不断增加的车载电子设备连接到电池和交流发电机。交流发...
设计应用 时间：2025/3/27 阅读：291
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失，这可能会主导P/N二极管损失，尤其是在较高的温度，快速转换过渡和高流动应用下。除了...
设计应用 时间：2025/3/20 阅读：346
由于可靠性，成本和系统级别的价值提高，碳化硅碳化物的阻塞电压最高可达1700 V。通过将最新SIC CHIP生成的阻塞电压扩展到2000 V，新的可能性就会出现。现在可以更轻松地处...
设计应用 时间：2025/3/14 阅读：305
TDK - 面向紧凑型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供电解决方案
随着人工智能 (AI) 和边缘应用日趋完善和复杂，对处理器、ASIC和FPGA/SoC的计算能力和电源要求也水涨船高。因为这些设备须在更狭小的空间内高效运行，同时保持高性能。垂直...
技术方案 时间：2025/2/27 阅读：505
传统保险丝是一种单使用设备，需要在清除故障后更换。因此，指定保险丝仅在持续的高电流下吹。这可以保护系统中的布线，但不能保护敏感的负载，并且可能导致系统级的停机时...
设计应用 时间：2025/2/21 阅读：291
Microchip - 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需...
设计应用 时间：2025/2/14 阅读：840
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要...
设计应用 时间：2025/2/12 阅读：213
基于 SiC 器件的电机驱动 工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如风扇、泵和传送带、热泵和空调）以及伺服驱动器。据估计，这些通常由交流电源驱动的电...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：2018
这导致对系统和组件级别的设计要求更加苛刻，并最终影响功率器件、无源组件、冷却技术和PCB的整体一致性。 为了实现所需的增强系统性能，半导体器件必须应对更高的功率...
技术方案 时间：2025/1/3 阅读：487
