Littelfuse - 业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）M...
时间：2025/2/19 阅读：18 关键词：SiC MOSFET
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V， 直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二...
时间：2025/2/19 阅读：17 关键词：英飞凌
Littelfuse - 首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的...
时间：2025/2/18 阅读：23 关键词：Littelfuse
Infineon - 英飞凌推出RASIC CTRX8191F雷达MMIC，赋能新一代4D和高清成像雷达
对实现下一阶段自动驾驶和自主驾驶而言，在密集的城市环境中探测行人是一项挑战。为达到SAE定义的L2+至L4自动驾驶要求，开发新一代4D和成像雷达至关重要。在此背景下，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了其最...
时间：2025/2/17 阅读：25 关键词：英飞凌
在印度成为全球芯片制造领导者的征程中，一个重要的里程碑是，Indichip SemiconductorsLimited及其合资伙伴日本Yitoa Micro TechnologyLimited （YMTL） 与安得拉邦政府签...
分类：业界动态 时间：2025/1/13 阅读：222 关键词：Si
首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET提供卓越的栅极驱动器保护
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市...
分类：新品快报 时间：2024/12/30 阅读：390 关键词：SiC MOSFET
这一收购将显著提升安森美在碳化硅技术领域的市场地位，并增强其在电动汽车、工业电源和可再生能源市场的竞争力。 据官方新闻稿线上，安森美此次收购的核心是Qorvo的SiC...
分类：名企新闻 时间：2024/12/16 阅读：241 关键词：安森美
尽管对使用碳化硅功率半导体的电动汽车和工业机械的需求疲软，但全球范围内碳化硅功率半导体生产能力仍在继续扩张。 来自美国、日本、欧洲、韩国和中国的碳化硅晶圆和分...
分类：业界动态 时间：2024/12/3 阅读：381 关键词：SiC
ST - 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔...
时间：2024/11/28 阅读：119 关键词：栅极驱动器
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划20...
时间：2024/11/26 阅读：97 关键词：ROHM
Microchip - 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需...
设计应用 时间：2025/2/14 阅读：119
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要...
设计应用 时间：2025/2/12 阅读：154
基于 SiC 器件的电机驱动 工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如风扇、泵和传送带、热泵和空调）以及伺服驱动器。据估计，这些通常由交流电源驱动的电...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：1795
这导致对系统和组件级别的设计要求更加苛刻，并最终影响功率器件、无源组件、冷却技术和PCB的整体一致性。 为了实现所需的增强系统性能，半导体器件必须应对更高的功率...
技术方案 时间：2025/1/3 阅读：356
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 目前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准。在该标准中，大多数规格，包括输入和输出...
设计应用 时间：2025/1/2 阅读：308
沟槽 JFET 结构 图 1 显示了沟槽 JFET 的单元结构示意图。低导通电阻源自以高单元密度重复的垂直沟道，从而通过沟道和漂移区域在源极和漏极接触之间创建了一条短路径。...
设计应用 时间：2024/12/30 阅读：189
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。 负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈...
设计应用 时间：2024/12/19 阅读：242
碳化硅已准备好部署在具有成本竞争力的工业电机驱动市场。 SiC 功率模块的实际优势不仅仅限于效率提升。对两种电机驱动类型的检查显示了全面的节省。关键是要看大局。 ...
设计应用 时间：2024/12/5 阅读：383
设计基于 SiCMOSFET 的 66kW 双向电动汽车车载充电器
随着世界转向更清洁的燃料替代品，电动汽车运输领域正在经历快速增长。此外，配备足够电池容量的电动汽车可用于支持独立负载（V2L）和补充电网电力（V2G）。由此可见，电动...
设计应用 时间：2024/12/3 阅读：812
研究 25kW 并联 SiC MOSFET DAB 转换器的性能
分立器件与电源模块 SiC MOSFET在电动汽车充电器和光伏逆变器等各个领域获得了广泛关注，这主要归功于其卓越的开关速度、效率和热性能。虽然 SiC MOSFET 的特性使其适用...
设计应用 时间：2024/11/29 阅读：671
