SiCrystal GmbH 是单晶碳化硅 (SiC) 半导体芯片的全球市场领导者之一,公司高度专业化的产品为全球电动汽车或光伏和风能等绿色技术领域的创新电子元件制造奠定了基础。 ...
分类:业界动态 时间:2024/7/8 阅读:200 关键词:晶圆
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块
半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电...
分类:新品快报 时间:2024/7/4 阅读:249 关键词:二极管
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(...
分类:新品快报 时间:2024/7/1 阅读:197 关键词:SiC肖特基二极管
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...
分类:新品快报 时间:2024/6/26 阅读:284 关键词:英飞凌
英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...
分类:新品快报 时间:2024/6/14 阅读:402 关键词:英飞凌
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求
Nexperia今天宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q),并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装,适用于电动汽车和其他汽车中...
分类:新品快报 时间:2024/6/13 阅读:292 关键词:SiC二极管
英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。 全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发,是对英...
分类:新品快报 时间:2024/5/29 阅读:252 关键词: MOSFET系列
AKM - 与第三代半导体(SiC/GaN)功率器件高度适配、面向电动汽车的电流传感器已经量产,聚焦车载充电器(OBC)、电子保险丝(E-Fuse)等应用
旭化成微电子(AKM)面向汽车应用的全新电流传感器CZ39系列产品已经开始量产。 采用AKM积淀深厚的化合物霍尔元件技术、先进封装技术和ASIC专用集成电路技术,具备响应快、发热低、抗噪声等产品特点。 CZ39系列产品与SiC/GaN功率器...
时间:2024/5/24 阅读:103 关键词:电子
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
Nexperia今天宣布,公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...
分类:新品快报 时间:2024/5/23 阅读:263 关键词:SiC MOSFET
Yole : 预计2029 年SiC 器件超过 100 亿美元
Yole Group 预测,SiC 器件领域将在未来五年内成为主要的 SiC 市场,从今年的约 27 亿美元增长到 2029 年的超过 100 亿美元。BEV 是主要市场驱动力,占整个市场的 70% 以上...
分类:行业趋势 时间:2024/5/13 阅读:1601 关键词:SiC 器件
Qorvo E1B SiC模块:成就高效功率转换系统的秘密武器
在功率转换中,效率和功率密度至关重要。每一个造成能量损失的因素都会产生热量,并需要通过昂贵且耗能的冷却系统来去除。软开关技术与碳化硅(SiC)技术的结合为提升开关...
设计应用 时间:2024/6/13 阅读:655
碳化硅(SiC)如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示,与硅(Si)材料相比,SiC具有诸多技术优势,因此我们不难理解为何它已成为电动汽车(EV)、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。...
基础电子 时间:2024/5/31 阅读:273
无芯变压器隔离适用于电动汽车和工业应用的 SiC 栅极驱动器
随着对更高电压运行和更高效率的要求,最新的电动汽车和工业电源系统趋势推动了电力系统设备的更高集成度和安全性。实现这些功能的关键要素是隔离栅极驱动器。在隔离栅极驱...
设计应用 时间:2024/4/30 阅读:1329
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实,SiC 功率半导体作为下一代技术迅速引起人们的关注。与 Si IGBT 相比,SiC MOSFET 的效率更高...
设计应用 时间:2024/4/26 阅读:443
SiC基功率器件的优点 考虑一下阳光充足的一天,从而产生充足的可再生能源,例如通过光伏电池板。当电动汽车停放并连接到充电系统时,可以利用这种能量,有效地为电池充...
技术方案 时间:2024/3/2 阅读:690
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体相比,SiC 因其卓越的物理和电气特性而脱颖而出。由于碳化硅的带隙比硅大,因此可以承...
设计应用 时间:2024/1/8 阅读:445
交流充电桩适合在家中或工作场所为电动汽车充电,因为目前车载充电器的额定功率通常达到11千瓦,充满电需要8~10小时。然而,对于假期等长途旅行,消费者希望在休息期间充电...
设计应用 时间:2023/12/26 阅读:578
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失,我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑,...
设计应用 时间:2023/12/25 阅读:569
汽车电气化是一个仍然存在许多汽车制造商关注的技术挑战的领域。面向可持续未来的动力总成系统和高压技术系统的电子设计师和工程师对实现更大的电动汽车续航里程、降低设计...
设计应用 时间:2023/12/15 阅读:627
碳化硅器件因其对现代电力电子应用的众多优势而越来越受欢迎。1,2为了补偿 SiC 功率器件的较高成本,人们提出了混合 Si-SiC 拓扑。3,4在此类拓扑中,例如有源中性点钳位 (A...
设计应用 时间:2023/12/14 阅读:368