英飞凌 SiC 超结技术树立行业标杆，加速电动汽车与工业发展
英飞凌凭借卓越性能与高可靠性的解决方案引领行业发展。其 CoolSiC产品系列电压范围覆盖 400 V 至 3.3 kV，广泛应用于汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高...
分类：新品快报 时间：2025/5/8 阅读：154 关键词：英飞凌
ST 的用于 SiC MOSFETs 和 IGBT 的隔离式汽车栅极驱动器提供了灵活性，可以控制不同功率等级的逆变器，具备可编程保护和诊断功能，允许进行 ISO 26262 ASIL D 认证。 集...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：686 关键词：栅极驱动器
英飞凌推出 CoolSiC MOSFET 750 G2 技术
英飞凌推出了其 CoolSiC MOSFET 750 V G2 技术，旨在提高汽车和工业电力转换应用中的系统效率和功率密度。 该技术提供了具有典型 R DS(on) 值高达 60 mΩ（25°C 时）的...
分类：新品快报 时间：2025/5/7 阅读：443 关键词：英飞凌
ROHM推出高功率密度新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！
知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压...
时间：2025/4/27 阅读：33 关键词：ROHM
士兰微发布公告称，2024 年，杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“公司”）加快推进 SiC芯片技术研发及量产，具体进展如下： 2024 年，公司加快推进“士兰明镓 6 英寸 SiC 功率器件芯片生产线”项目的建设。截至目前，士兰明镓已形...
分类：名企新闻 时间：2025/4/9 阅读：534 关键词：士兰微
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装，在提升效率的同时简化设计
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 ...
时间：2025/4/1 阅读：111 关键词：英飞凌
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V的TO－247－2封装，在提升效率的同时简化设计
许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英...
Microchip推出多功能MPLAB PICkitBasic调试器
为使更多工程师能够享受更强大的编程与调试功能，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日发布MPLAB PICkit Basic在线调试器，为各层级的工程师提供高性价比解决方案。相较于其他复杂昂贵的调试器，这款经济型工具提供高速USB 2.0...
时间：2025/3/14 阅读：94 关键词：Microchip
Infineon - 英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管...
时间：2025/2/28 阅读：130 关键词： 英飞凌
maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到电力PCB，DBC底物，甚至是重型铜铅框架的限制，从而限制了最大电流。最初的?maxpak...
设计应用 时间：2025/4/7 阅读：770
瞬态保护设备 瞬态尖峰可能是由雷击，附近的机械，负载开关的电源飙升等引起的。一个例子是现代汽车，在该汽车上不断增加的车载电子设备连接到电池和交流发电机。交流发...
设计应用 时间：2025/3/27 阅读：309
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失，这可能会主导P/N二极管损失，尤其是在较高的温度，快速转换过渡和高流动应用下。除了...
设计应用 时间：2025/3/20 阅读：360
由于可靠性，成本和系统级别的价值提高，碳化硅碳化物的阻塞电压最高可达1700 V。通过将最新SIC CHIP生成的阻塞电压扩展到2000 V，新的可能性就会出现。现在可以更轻松地处...
设计应用 时间：2025/3/14 阅读：314
TDK - 面向紧凑型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供电解决方案
随着人工智能 (AI) 和边缘应用日趋完善和复杂，对处理器、ASIC和FPGA/SoC的计算能力和电源要求也水涨船高。因为这些设备须在更狭小的空间内高效运行，同时保持高性能。垂直...
技术方案 时间：2025/2/27 阅读：578
传统保险丝是一种单使用设备，需要在清除故障后更换。因此，指定保险丝仅在持续的高电流下吹。这可以保护系统中的布线，但不能保护敏感的负载，并且可能导致系统级的停机时...
设计应用 时间：2025/2/21 阅读：300
Microchip - 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需...
设计应用 时间：2025/2/14 阅读：1106
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要...
设计应用 时间：2025/2/12 阅读：219
基于 SiC 器件的电机驱动 工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如风扇、泵和传送带、热泵和空调）以及伺服驱动器。据估计，这些通常由交流电源驱动的电...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：2024
这导致对系统和组件级别的设计要求更加苛刻，并最终影响功率器件、无源组件、冷却技术和PCB的整体一致性。 为了实现所需的增强系统性能，半导体器件必须应对更高的功率...
技术方案 时间：2025/1/3 阅读：498
