2025 年 SiC（碳化硅）晶圆市场正面临着增速放缓的局面。原本被视为电动汽车革命支柱的 SiC 功率半导体市场，如今遭遇了诸多挑战。 近年来，电动汽车需求低于预期，加上...
分类：行业趋势 时间：2025/6/5 阅读：214 关键词： SiC 晶圆
据相关报道，瑞萨电子已放弃使用新材料生产功率半导体的计划，不再计划于 “2025 年初” 在其位于群马县高崎的工厂投产碳化硅（SiC）芯片。这一决策背后，反映出当前 SiC ...
Toshiba-东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新...
时间：2025/5/29 阅读：41 关键词：Toshiba
Infineon-英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包...
时间：2025/5/22 阅读：81 关键词：Infineon
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件...
分类：新品快报 时间：2025/5/21 阅读：2262 关键词：SiC MOSFET
ROHM-内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模...
时间：2025/5/19 阅读：93 关键词：ROHM
Infineon-英飞凌推出新型CoolSiC JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电
为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态...
时间：2025/5/19 阅读：57 关键词：Infineon
TrendForce ：预计 2030 年，8 英寸 SiC 晶片的出货量将超过总出货量的 20%
根据外媒报道，弱势的汽车和工业需求领域已使 N 型 SiC 衬底的收入同比减少了 9%，达到 10.4 亿美元， TrendForce 报道。 今年，SiC 衬片市场将继续面临需求疲软和供应...
分类：行业趋势 时间：2025/5/17 阅读：2045 关键词： SiC 晶片
据一份研究报告显示，在花旗报告称英特尔处理器市场份额跌至 2002 年以来的最低水平后，英特尔股价周三下跌约4% 。 以安德鲁·沃克 (Andrew Walker) 为首的花旗分析师写...
分类：名企新闻 时间：2025/5/15 阅读：376 关键词：SiC
在电力电子领域的不断发展进程中，SiC MOSFET 模块由于其优异的性能，如高开关速度、低导通电阻等，被广泛应用于各种高功率、高频率的场合。而当多个 SiC MOSFET 模块并联...
设计应用 时间：2025/5/30 阅读：203
在传动逆变器中，一个低功率辅助电源，通常是反激转换器，起着至关重要的作用，将 400V 或 800V 高压直流（HVDC）输入转换为低压直流（LVDC）输出。该辅助电源在故障条件下...
设计应用 时间：2025/5/8 阅读：411
maxpak初始焦点高达650V/400A和1200V/200A工业开关。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到电力PCB，DBC底物，甚至是重型铜铅框架的限制，从而限制了最大电流。最初的?maxpak...
设计应用 时间：2025/4/7 阅读：807
瞬态保护设备 瞬态尖峰可能是由雷击，附近的机械，负载开关的电源飙升等引起的。一个例子是现代汽车，在该汽车上不断增加的车载电子设备连接到电池和交流发电机。交流发...
设计应用 时间：2025/3/27 阅读：335
将Schottky屏障二极管与SIC MOSFET集成的进步
Sic Schottky二极管比标准硅P/N二极管具有许多优势。一个关键优势是缺乏反向发现损失，这可能会主导P/N二极管损失，尤其是在较高的温度，快速转换过渡和高流动应用下。除了...
设计应用 时间：2025/3/20 阅读：377
由于可靠性，成本和系统级别的价值提高，碳化硅碳化物的阻塞电压最高可达1700 V。通过将最新SIC CHIP生成的阻塞电压扩展到2000 V，新的可能性就会出现。现在可以更轻松地处...
设计应用 时间：2025/3/14 阅读：323
TDK - 面向紧凑型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供电解决方案
随着人工智能 (AI) 和边缘应用日趋完善和复杂，对处理器、ASIC和FPGA/SoC的计算能力和电源要求也水涨船高。因为这些设备须在更狭小的空间内高效运行，同时保持高性能。垂直...
技术方案 时间：2025/2/27 阅读：629
传统保险丝是一种单使用设备，需要在清除故障后更换。因此，指定保险丝仅在持续的高电流下吹。这可以保护系统中的布线，但不能保护敏感的负载，并且可能导致系统级的停机时...
设计应用 时间：2025/2/21 阅读：311
Microchip - 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需...
设计应用 时间：2025/2/14 阅读：1558
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要...
设计应用 时间：2025/2/12 阅读：230
