Infineon - 英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC? MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC MOSFET 650 V单管...
时间：2025/2/28 阅读：83 关键词： 英飞凌
Infineon - 英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提...
时间：2025/2/28 阅读：69 关键词：英飞凌
ROHM - 科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC
罗姆生产的EcoSiC产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. （以下简称“科索”）生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。强制风冷型“HFA系列”和传导散...
时间：2025/2/25 阅读：46 关键词： 科索
ROHM - 罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）签署了SiC功率元器件的长期供货协议。 UAES副总经理 郭晓...
时间：2025/2/25 阅读：80 关键词：罗姆
根据中国电子报报道，DeepSeek研究团队再放大招，公开NSA算法。同日，马斯克发布Grok 3模型，试与DeepSeek和Open AI来比高。此外，Open AI首款AI ASIC芯片即将完成，有望明...
分类：业界动态 时间：2025/2/25 阅读：221 关键词：DeepSeek
ROHM - 罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2025/2/24 阅读：73 关键词： 罗姆
Littelfuse - 业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）M...
时间：2025/2/19 阅读：61 关键词：SiC MOSFET
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC肖特基二极管2000 V， 直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二...
时间：2025/2/19 阅读：48 关键词：英飞凌
Littelfuse - 首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET 提供卓越的栅极驱动器保护
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的...
时间：2025/2/18 阅读：54 关键词：Littelfuse
Infineon - 英飞凌推出RASIC CTRX8191F雷达MMIC，赋能新一代4D和高清成像雷达
对实现下一阶段自动驾驶和自主驾驶而言，在密集的城市环境中探测行人是一项挑战。为达到SAE定义的L2+至L4自动驾驶要求，开发新一代4D和成像雷达至关重要。在此背景下，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了其最...
时间：2025/2/17 阅读：36 关键词：英飞凌
TDK - 面向紧凑型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供电解决方案
随着人工智能 (AI) 和边缘应用日趋完善和复杂，对处理器、ASIC和FPGA/SoC的计算能力和电源要求也水涨船高。因为这些设备须在更狭小的空间内高效运行，同时保持高性能。垂直...
技术方案 时间：2025/2/27 阅读：408
传统保险丝是一种单使用设备，需要在清除故障后更换。因此，指定保险丝仅在持续的高电流下吹。这可以保护系统中的布线，但不能保护敏感的负载，并且可能导致系统级的停机时...
设计应用 时间：2025/2/21 阅读：279
Microchip - 基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需...
设计应用 时间：2025/2/14 阅读：539
DC总线电压为400 V或更大的电气系统，由单相或三相电网功率或储能系统（ESS）提供动力，可以通过固态电路保护提高其可靠性和弹性。在设计高压固态电池断开连接开关时，需要...
设计应用 时间：2025/2/12 阅读：206
基于 SiC 器件的电机驱动 工业电机驱动器涵盖广泛的应用，从低压工业驱动器（例如风扇、泵和传送带、热泵和空调）以及伺服驱动器。据估计，这些通常由交流电源驱动的电...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：2006
这导致对系统和组件级别的设计要求更加苛刻，并最终影响功率器件、无源组件、冷却技术和PCB的整体一致性。 为了实现所需的增强系统性能，半导体器件必须应对更高的功率...
技术方案 时间：2025/1/3 阅读：471
第一代 AI PSU：采用相同架构，功率更高，约 5.5–8 kW，50 V输出，277 V交流，单相 目前的AI服务器PSU大多遵循ORv3-HPR标准。在该标准中，大多数规格，包括输入和输出...
设计应用 时间：2025/1/2 阅读：347
沟槽 JFET 结构 图 1 显示了沟槽 JFET 的单元结构示意图。低导通电阻源自以高单元密度重复的垂直沟道，从而通过沟道和漂移区域在源极和漏极接触之间创建了一条短路径。...
设计应用 时间：2024/12/30 阅读：208
短路原点 电源转换系统中的 SC 事件可能由多种原因引起，包括电缆操作、负载故障、绝缘材料老化、组件故障和设计错误。电源应用可以包括不同的保护机制以提高其可靠性。 负载引起的高电感 SC 事件通常通过软件中编程的电流限制和阈...
设计应用 时间：2024/12/19 阅读：280
碳化硅已准备好部署在具有成本竞争力的工业电机驱动市场。 SiC 功率模块的实际优势不仅仅限于效率提升。对两种电机驱动类型的检查显示了全面的节省。关键是要看大局。 ...
设计应用 时间：2024/12/5 阅读：402
