SiC晶圆大厂，扩产三倍

SiCrystal GmbH 是单晶碳化硅 (SiC) 半导体芯片的全球市场领导者之一，公司高度专业化的产品为全球电动汽车或光伏和风能等绿色技术领域的创新电子元件制造奠定了基础。　　...

分类：业界动态 时间：2024/7/8 阅读：202 关键词：晶圆

SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块

半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电...

分类：新品快报 时间：2024/7/4 阅读：258 关键词：二极管

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（...

分类：新品快报 时间：2024/7/1 阅读：198 关键词：SiC肖特基二极管

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年...

分类：新品快报 时间：2024/6/26 阅读：284 关键词：英飞凌

英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产...

分类：新品快报 时间：2024/6/14 阅读：402 关键词：英飞凌

Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求

Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中...

分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：293 关键词：SiC二极管

英飞凌推出 400V CoolSiC MOSFET 系列

英飞凌正在对基于今年早些时候推出的第二代 (G2) CoolSiC 技术的CoolSiC MOSFET 400V 系列进行采样。　　全新 MOSFET 产品组合专为 AI 服务器的 AC/DC 阶段而开发，是对英...

分类：新品快报 时间：2024/5/29 阅读：253 关键词： MOSFET系列

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK－7封装

Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底...

分类：新品快报 时间：2024/5/23 阅读：263 关键词：SiC MOSFET

Yole ： 预计2029 年SiC 器件超过 100 亿美元

Yole Group 预测，SiC 器件领域将在未来五年内成为主要的 SiC 市场，从今年的约 27 亿美元增长到 2029 年的超过 100 亿美元。BEV 是主要市场驱动力，占整个市场的 70% 以上...

分类：行业趋势 时间：2024/5/13 阅读：1601 关键词：SiC 器件

Yole:SiC 市场2023-28 年复合年增长率为 25%

据 Yole Developpement 称，到 2029 年，SiC 器件市场预计将超过 100 亿美元，CAGR23-29 为 25%。　　由于大规模产能扩张，预计到 2026 年，整个 WFE（晶圆厂设备）SiC 制...

分类：行业趋势 时间：2024/5/6 阅读：1769 关键词：SiC

新能源汽车“卷”起“含SiC量”

2024北京国际汽车展览会正在北京如火如荼地进行，可以确定的是，碳化硅正受到越来越多新能源汽车厂商的重视。据《中国电子报》记者不完全统计，此次车展中展出的配备碳化硅...

分类：业界动态 时间：2024/4/29 阅读：678 关键词：新能源汽车