IDC 栅极驱动单元“VLB512-01R”“VLB519-01R” 配套使用三菱内置RTC电路SiC MOSFET模块
配合模块自身输出的RTC信号实现短路保护！ ISAHAYA ELECTRONICS制造的栅极驱动单元"VLB512-01R" "VLB519-01R" 目前，为了提高设备的效率和小型化，SiC MOSFET模块在工业设备领域的采用也正在加速。 三菱电机正在陆续推出内置原...
时间：2023/8/30 阅读：165
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...
分类：新品快报 时间：2023/8/30 阅读：434 关键词：MOSFET模块
ONSEMI -纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，同意投资于碳化硅（SiC）扩产
纬湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）宣布了一项价值19亿美元（17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产品10年期供应协议，以实现纬湃科技在电气化技术方面的提升。纬湃科技是国际领先的现代驱动技术和电气化解决方案制造商，将向...
时间：2023/8/15 阅读：97 关键词：碳化硅
ONSEMI - 博格华纳将集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模块中，用于主驱逆变器解决方案，以提高电动汽车的性能
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代码：ON)与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳(BorgWarner，纽约证交所股票代码：BWA)，扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元。博格...
时间：2023/8/15 阅读：280 关键词：安森美
Toshiba - 东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，...
时间：2023/8/7 阅读：128 关键词：东芝
英飞凌将在 5 年内向马来西亚居林 SiC 工厂投资 50 亿欧元
英飞凌将投资 50 亿欧元扩建其位于马来西亚居林的 200 毫米碳化硅工厂。该计划的扩建得到了客户承诺的支持，其中包括约 50 亿欧元的汽车和工业应用新设计成果以及约 10 亿...
SCALE－iFlex LT NTC IGBT／SiC模块门极驱动器可增强系统的可观测性和整体性能
PI新推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器可提供负温度系数(NTC)数据，从而实现变换器系统的精确温升管理并确保均流精确性。由于支持多个功率模块并联，因...
分类：新品快报 时间：2023/8/1 阅读：486 关键词：SiC模块
IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片，作为紧凑的1200V等级封装，这款SiC MOSFET IPM使...
分类：新品快报 时间：2023/7/20 阅读：377 关键词：MOS智能功率模块
据该公司介绍，在这个名为TRSxxx65H的系列中，采用了一种新的肖特基金属，并且与第二代相比，改变了结势垒结构以降低电场，从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12...
分类：新品快报 时间：2023/7/14 阅读：474 关键词：1.2V
罗姆宣布收购原Solar Frontier国富工厂,以扩大SiC产能
2023年7月12日，罗姆宣布将收购原Solar Frontier国富工厂（宫崎县国富町），以扩大SiC（碳化硅）功率半导体的产能。此次收购计划于 2023 年 10 月结束。 计划将其作为公...
ROHM - 罗姆与纬湃科技签署SiC功率元器件长期供货合作协议
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议，双...
时间：2023/7/7 阅读：124 关键词：SiC功率元器件
Infineon - 采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V Co...
时间：2023/7/7 阅读：192 关键词：TO263-7封装
尽管 Onsemi 在功率 SiC 器件市场上入场相对较晚，但 Onsemi 的 2023 年第一季度业绩表明，该公司有望在 2023 年实现 10 亿美元的雄心勃勃的收入。该公司的收益比上季度几...
Onsemi -安森美领先的EliteSiC MOSFET和二极管技术将是Kempower的电动汽车快充方案的关键
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号： ON），宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电...
时间：2023/6/19 阅读：197 关键词：电子
