纳微发布第三代快速碳化硅MOSFETs， 促进AI数据中心功率提升，加快电动汽车充电速度
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的...
分类：新品快报 时间：2024/6/13 阅读：251 关键词：碳化硅MOSFET
罗马拨款数十亿欧元给意法半导体公司，用于在西西里岛生产碳化硅芯片。 法意跨国科技公司意法半导体 (STMicroelectronics) 即将获得意大利政府 20 亿欧元（22 亿美元）...
ONSEMI - 安森美2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅和功率解决方案系列研讨会即将启动
-智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。该...
时间：2024/5/21 阅读：28 关键词：电子
ST - 致瞻科技采用意法半导体碳化硅技术，提高新能源汽车电动空调压缩机控制器能效
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 宣布，与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载...
时间：2024/4/30 阅读：109 关键词：ST
ST - 意法半导体碳化硅数位电源解决方案被肯微科技采用 用于高效率可靠的服务器电源供应器设计及应用
中国—服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST被业界认可的碳化硅（SiC）、电气隔离和微控制器的...
时间：2024/4/30 阅读：61 关键词：电子
先导中心推出技术“狠活”：1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品发布
继首款1200V 100A H桥全碳化硅模块发布后，先导中心又推出1200V 100A 三电平全碳化硅模块新品。 此模块产品的芯片完全国产化，产品功率密度高、性能稳定、损耗更低，可...
分类：新品快报 时间：2024/4/30 阅读：379 关键词：电子
2024北京国际汽车展览会正在北京如火如荼地进行，据《中国电子报》记者不完全统计，此次车展中展出的配备碳化硅的车型超70款，“含SiC量”成为新能源汽车比拼的一大指标。 同期在宁波举行的第十七届中国电子信息年会上，《中国电子报...
分类：行业访谈 时间：2024/4/29 阅读：787 关键词：碳化硅
Infineon - 英飞凌与Wolfspeed扩展并延长多年期 150mm 碳化硅晶圆供应协议
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与全球碳化硅技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经...
时间：2024/4/26 阅读：57 关键词：电子
Infineon - 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性...
时间：2024/3/12 阅读：105 关键词：电子
意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，...
分类：新品快报 时间：2024/2/29 阅读：375 关键词：电子
从理论上讲，碳化硅 (SiC) 技术比硅 (Si) 具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有 MOSFET 的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该技术与硅的不同之...
设计应用 时间：2024/6/19 阅读：113
本文将阐述系统能效的重要性，并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准，包括 SiC 功耗、SiC 导通和关断基本原理以及如何减少开关损耗。此外，我们将介绍首款集成负偏压的 3.75 kV 栅极驱动器 NCP(V)51752。 能效提升，毫厘必争 当谈...
基础电子 时间：2024/5/29 阅读：160
在设计电源转换器时，碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。 它们在高效硬...
设计应用 时间：2024/3/20 阅读：532
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于高温、高压、高频电子器件和材料领域的化合物材料。它由硅和碳元素组成，具有许多优异的特性，包括： 高熔点和高热稳定性： 碳化硅具有非常高的熔点，能够在极高温度下保持稳定性，适...
基础电子 时间：2024/2/27 阅读：271
Microchip - 碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案
早在十多年前，电动汽车就已经引入400V电池系统，现在我们看到行业正在向800V系统迁移，主要是为了支持直流快速充电。随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训，设计人...
技术方案 时间：2024/1/4 阅读：872
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
设计应用 时间：2023/7/21 阅读：663
新型 MPLAB 碳化硅功率仿真器使客户能够在设计阶段测试 Microchip 的碳化硅功率解决方案
电力电子产品在日常生活的许多领域都在市场上迅速扩张。由于这种材料在速度、效率和耐高温性方面的出色性能，越来越多的电力电子设备使用SiC 半导体制造。电源设计人员大量...
技术方案 时间：2023/4/7 阅读：3740
人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅...
设计应用 时间：2022/10/26 阅读：441
电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2 kW，到高端电动汽车中的22 kW不等。传统上，充电功率是单向的，...
设计应用 时间：2022/9/20 阅读：400
本文将重点介绍碳化硅技术在汽车领域的应用和实现。与传统的硅基器件相比，碳化硅 （SiC）组件具有多项优势（例如高效率和低损耗），使其成为多种电源解决方案的正确解决方...
设计应用 时间：2022/8/11 阅读：464
