Rhopoint Components 将提供 1.2kV 260A 三相碳化硅功率模块用于电动汽车。
由 Cissoid 制造并称为 CMT-PLA3SB12340，它可以在 90°C 时提供 26A 的电流，并在 25°C 时提供高达 340A 的电流。 这是一个完整的功率模块，包括输出到基板（1 分钟内...
分类：新品快报 时间：2025/6/9 阅读：1690 关键词：三相碳化硅
根据外媒报道，在半导体行业的发展进程中，碳化硅市场展现出了持续繁荣的态势。2025 年 5 月，富士经济对全球功率半导体晶圆市场进行了全面调查，并发布了截至 2035 年的市...
分类：行业趋势 时间：2025/5/26 阅读：2478 关键词：碳化硅
1200V 碳化硅 MOSFET 经过雪崩测试至 800mJ
SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器，这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试，部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。 有四种...
分类：新品快报 时间：2025/4/27 阅读：3316 关键词： MOSFET
ONSEMI - 安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。与使用第7代场截止（FS7） IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的...
时间：2025/3/31 阅读：82 关键词：安森美
ST - 三安与意法半导体重庆8英寸碳化硅晶圆合资厂正式通线
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM) ，和中国化合物半导体龙头企业（涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产品）三安光电（上海证券交易所代码...
时间：2025/3/13 阅读：84 关键词：碳化硅
Infineon - 英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提...
时间：2025/2/28 阅读：140 关键词：英飞凌
安意法半导体有限公司正式通线 意法半导体方面表示，这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长...
分类：业界动态 时间：2025/2/28 阅读：371 关键词：碳化硅晶圆
根据中国电子报报道，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂（以下简称“安意法合资厂”）正式通线。 预计项目将于2025年四季度实现批量生产，...
分类：名企新闻 时间：2025/2/28 阅读：974 关键词：安意法
ST - 雷诺旗下安培与意法半导体签署碳化硅长期供应协议，合作开发电动汽车 电源控制系统
雷诺集团旗下纯智能电动汽车制造公司安培 (Ampere) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 今天宣布了下一步战略合作行动，雷诺集团与意法半导体签署了一份...
时间：2025/2/20 阅读：113 关键词：半导体
随着PFC拓扑中采用SiC 肖特基二极管，旁路二极管被用来限制通过 SiC 二极管的正向电流，以防浪涌电流影响电源干线。图 1 说明了旁路二极管通常如何在经典 PFC 中实现。仅当...
设计应用 时间：2025/1/16 阅读：933
为什么 SiC 功率芯片更小？ 功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了最小化器件的导通电阻，必须增加外延层...
设计应用 时间：2024/10/22 阅读：442
从理论上讲，碳化硅 (SiC) 技术比硅 (Si) 具有优势，这使得它看起来可以作为电力电子中现有 MOSFET 的直接替代品。这在一定程度上是正确的，但只要关注该技术与硅的不同之...
设计应用 时间：2024/6/19 阅读：498
本文将阐述系统能效的重要性，并简要说明 SiC 栅极驱动器的选择标准，包括 SiC 功耗、SiC 导通和关断基本原理以及如何减少开关损耗。此外，我们将介绍首款集成负偏压的 3.75 kV 栅极驱动器 NCP(V)51752。 能效提升，毫厘必争 当谈...
基础电子 时间：2024/5/29 阅读：293
在设计电源转换器时，碳化硅 (SiC)等宽带隙 (WBG) 技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V SiC MOSFET 的推出使其对于以前未考虑过的应用更具吸引力。 它们在高效硬...
设计应用 时间：2024/3/20 阅读：642
碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于高温、高压、高频电子器件和材料领域的化合物材料。它由硅和碳元素组成，具有许多优异的特性，包括： 高熔点和高热稳定性： 碳化硅具有非常高的熔点，能够在极高温度下保持稳定性，适...
基础电子 时间：2024/2/27 阅读：362
Microchip - 碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案
早在十多年前，电动汽车就已经引入400V电池系统，现在我们看到行业正在向800V系统迁移，主要是为了支持直流快速充电。随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训，设计人...
技术方案 时间：2024/1/4 阅读：1113
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
设计应用 时间：2023/7/21 阅读：739
新型 MPLAB 碳化硅功率仿真器使客户能够在设计阶段测试 Microchip 的碳化硅功率解决方案
电力电子产品在日常生活的许多领域都在市场上迅速扩张。由于这种材料在速度、效率和耐高温性方面的出色性能，越来越多的电力电子设备使用SiC 半导体制造。电源设计人员大量...
技术方案 时间：2023/4/7 阅读：3904
人们普遍认识到，碳化硅（SiC）现在作为一种成熟的技术，在从瓦特到兆瓦功率范围的很多应用中改变了电力行业，覆盖工业、能源和汽车等众多领域。这主要是由于它比以前的硅...
设计应用 时间：2022/10/26 阅读：577
