外媒周三（23日）的报道指出，项目投资方之一的采埃孚（ZF）有意放弃投资入股工厂的计划。随后，美国芯片制造商 Wolfspeed搁置了在德国建立半导体工厂的计划。 资料显示...
分类：名企新闻 时间：2024/10/25 阅读：259 关键词：Wolfspeed
陷入困境的汽车供应商 ZF 显然不再想参与计划在萨尔州建造的芯片工厂。该工厂原本将与美国 Wolfspeed 集团合作建造，但现在随着 ZF 的退出，该项目可能会被取消。 2023年初，两家公司展示了他们的项目，该项目将在萨尔州恩斯多夫原燃...
分类：业界动态 时间：2024/10/23 阅读：156 关键词：SiC
Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，...
分类：新品快报 时间：2024/10/23 阅读：261 关键词：SiC MOSFET
Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管...
分类：新品快报 时间：2024/10/17 阅读：271 关键词：抑制二极管
意法半导体推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术，在功率效率、功率密度和稳健性方面树立了新的标杆。 新技术不仅满足汽车和工业市场的需求，还特别针对牵引...
分类：新品快报 时间：2024/9/27 阅读：472 关键词：ST
在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而...
时间：2024/9/5 阅读：28 关键词：SiC
Rohm -罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型
日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起，这...
时间：2024/9/5 阅读：70 关键词：半导体
SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极...
时间：2024/9/5 阅读：30 关键词：SiC
ST - 罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体新签协议，扩大碳化硅衬底供应
罗姆 (东京证交所股票代码: 6963) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm (6英寸) 碳化...
时间：2024/8/27 阅读：71 关键词：半导体
Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...
时间：2024/8/21 阅读：64 关键词：IGBT
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack ”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。TRCDRIVE pack 的...
时间：2024/8/20 阅读：49 关键词：SiC
Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...
时间：2024/8/20 阅读：55 关键词：半导体
Infineon - 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更...
时间：2024/8/20 阅读：55 关键词：半导体
Mouser - 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章...
时间：2024/8/8 阅读：63 关键词：英飞凌
Onsemi 计划于今年晚些时候推出 200 毫米（8 英寸）碳化硅晶圆，并于 2025 年投入生产。 安森美半导体营收为 17.35 亿美元，较去年第一季度下降 1.3 亿美元，较去年第二季度下降 2.65 亿美元，截至年底持平。 onsemi 总裁兼首席执...
分类：业界动态 时间：2024/8/6 阅读：497 关键词：SiC
