SK海力士

SK海力士资讯

SK海力士利润狂涨405.5%

SK 海力士 2026 年 Q1 交出史上最强季报:营收 52.58 万亿韩元(同比 +198%)、营业利润 37.61 万亿韩元(同比 +405%),双双首次突破历史关口,营业利润率高达 71.5%,均...

分类:名企新闻 时间:2026/4/23 阅读:5845 关键词:SK海力士

SK海力士宣布量产192GB SOCAMM2,专为英伟达Vera Rubin平台设计

韩国存储厂商SK海力士(SK hynix)宣布,已开始量产192GB SOCAMM2,该内存模块是为基于英伟达Vera Rubin平台的AI服务器所设计。  据介绍,SOCAMM2(小轮廓压缩附加内存模...

分类:新品快报 时间:2026/4/21 阅读:13642 关键词:SK海力士

存储芯片价格暴涨推动SK海力士利润或破1600亿美元

存储芯片行业正迎来前所未有的"超级周期"。当全球科技产业还在消化去年芯片短缺的余波时,新一轮的价格狂潮已然席卷而来——这次的主角是存储芯片。作为行业巨头的SK海力士,正乘着这股东风,业绩如火箭般蹿升。最新市场数据显示,存储芯...

分类:业界动态 时间:2026/4/13 阅读:4446

三星SK海力士改签长期订单,内存价格暴涨时代即将终结?

当全球科技巨头还在为AI狂潮抢购内存芯片时,韩国两大存储巨头却突然做出反常举动。三星电子和SK海力士近日宣布全面转向三至五年的长期供应合同模式,彻底放弃沿用多年的短期合约。这一战略转向背后,是否预示着持续飙升的内存价格即将见...

分类:业界动态 时间:2026/4/10 阅读:7003

氦气价格暴涨50%!三星、SK海力士正不计成本抢夺库存

近期,全球半导体行业面临严峻的供应链挑战,氦气现货价格飙升超过50%,引发韩国芯片巨头三星电子、SK海力士等厂商的激烈抢购。中东冲突的持续升级加剧了氦气供应的不稳定...

分类:业界动态 时间:2026/3/30 阅读:4464

存储巨头在华投资暴增:三星西安厂增资67% SK海力士无锡厂翻倍

全球存储芯片市场正迎来新一轮爆发期,而中国制造基地正成为这场产业升级的核心战场。最新数据显示,三星和SK海力士两大存储巨头2025年在中国工厂的投资额呈现惊人的增长态势,这不仅反映了中国市场的重要地位,更揭示了全球半导体产业链...

分类:业界动态 时间:2026/3/27 阅读:7052

SK海力士豪掷11.95万亿韩元,全球半导体产业格局生变

2026年3月24日,全球半导体行业迎来一则震撼消息:韩国存储巨头SK海力士宣布,将斥资11.95万亿韩元(约合547亿元人民币),向ASML韩国公司采购极紫外光刻机(EUV),为下一...

分类:业界动态 时间:2026/3/24 阅读:4835

SK海力士美光入局!全球顶级半导体研发中心50亿美元豪赌技术

半导体行业正在见证一场史诗级的技术联盟诞生。当全球存储器三巨头中的两家——SK海力士与美光,携手设备巨头应用材料砸下50亿美元(约343亿元人民币)共建硅谷EPIC中心时,这场被称为"美国半导体研发史上最大投资"的合作,或将重塑芯片...

分类:业界动态 时间:2026/3/12 阅读:7648

50亿美元豪赌AI未来:应用材料联手美光、SK海力士重塑存储芯片竞赛格局

在全球AI算力需求爆发式增长的背景下,存储芯片正成为新一代技术竞赛的核心战场。半导体设备巨头应用材料公司以50亿美元重注押宝,联合美光科技与SK海力士两大存储芯片龙头,在硅谷打造划时代的EPIC中心(设备和工艺创新与商业化中心),...

分类:业界动态 时间:2026/3/12 阅读:7499

强强联合!SK海力士与闪迪发布HBF存储战略

在AI技术飞速发展的今天,存储技术正迎来革命性突破。全球存储巨头SK海力士与闪迪(Sandisk)近日在美国总部联合宣布,正式启动高带宽闪存(HBF)的全球标准化进程,这一战略合...

分类:业界要闻 时间:2026/2/26 阅读:36532

SK海力士技术

深入剖析SK海力士72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上闸极堆栈的产品。  在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:933

拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...

基础电子 时间:2013/6/20 阅读:5343