SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-07-04 11:48:12 | 444 次阅读

  半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。


  这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性,这意味着开关过程中的损耗极低。此外,该二极管在热管理方面的改进也令人瞩目,有助于降低系统冷却需求,使工程师能够设计出更高效、性能更优的电源系统。通过减少系统产生的热量,这些器件允许使用更小的散热器,从而节省了成本和空间。
  具体而言,SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管,在正向电流方面分别达到了110A和151A。其设计支持简单的并联配置,为电源应用提供了更高的灵活性和可扩展性。
  同时,GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块,采用SOT-227封装,每个组件的正向电流分别为110A和214A,能够满足更高功率输出的需求。
  这些SiC二极管在高频下的性能尤为出色,低损耗和低电磁干扰(EMI)的操作特性使它们成为提高能源效率和可靠性的理想选择。其内部隔离封装(AIN)提供了出色的绝缘和导热性,结和外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外,正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用,进一步增强了系统的灵活性和可靠性。
  SemiQ表示,这些新开发的1,700V SiC二极管在功率效率和可靠性方面取得了重大进步。QSiC?二极管的设计紧凑且灵活,运行损耗低,热管理出色,为客户开发先进且高性能的解决方案提供了有力支持。所有组件均经过严格的电压测试和雪崩测试,确保了其卓越的性能和可靠性。
关键词:二极管

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