晶体管

晶体管资讯

Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管

Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管,其中一半符合汽车标准。  Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管  跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A ...

分类:新品快报 时间:2024/8/29 阅读:234 关键词:双极功率晶体管

Infineon - 英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和...

时间:2024/8/19 阅读:30 关键词:半导体

Infineon - 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低...

时间:2024/8/8 阅读:40 关键词:英飞凌

AMD 的 Zen 5 芯片每个计算芯片封装了 83.15 亿个晶体管,密度提高了 28%

当 AMD 正式推出基于 Zen 5 的台式机和笔记本电脑 Ryzen 处理器时,它透露了有关 Zen 5 微架构和这些 CPU 功能的许多细节。然而,它并没有透露各种基于 Zen 5 的产品的实际...

分类:业界动态 时间:2024/7/19 阅读:330 关键词:AMD

英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产...

分类:新品快报 时间:2024/7/12 阅读:309 关键词:晶体管

英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 ...

分类:新品快报 时间:2024/7/10 阅读:292 关键词:英飞凌

瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管

瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。  瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽...

分类:名企新闻 时间:2024/6/24 阅读:321 关键词:瑞萨电子

ST - 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。  新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关...

时间:2024/1/17 阅读:81 关键词:IGBT晶体管

晶体管将迎来新机遇

最终成为智能手机芯片的硅晶片由单晶组成。但这种晶体有很多面,其中哪一个面位于制造晶体管的表面很重要。根据上个月在 2023 年IEEE 国际电子器件会议(IEDM) 上发布的研究...

分类:业界动态 时间:2024/1/5 阅读:468 关键词:晶体管

Transphorm 最新技术白皮书: 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比

氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是,该文章还...

时间:2023/10/31 阅读:88 关键词:电子

晶体管技术

开关功率晶体管的选择和正确操作:第 2 部分

当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性...

设计应用 时间:2024/9/13 阅读:136

双极晶体管结构设计

双极晶体管结构  上文给出了PNP和NPN双极晶体管的结构和电路符号,电路符号中的箭头始终表示基极端子和发射极端子之间“常规电流流动”的方向。对于这两种晶体管类型,箭...

设计应用 时间:2024/9/13 阅读:116

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)外形、等效结构与符号

IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。  图 7-17中的IGBT是由PNP型三...

基础电子 时间:2024/8/28 阅读:192

开关功率晶体管的选择和正确操作

Si MOSFET 正常工作的驱动电路。  关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明:除少数例外,这些都不适合任何系列生产。  基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电...

设计应用 时间:2024/7/16 阅读:243

凹槽栅极技术革新 E-Mode GaN 晶体管

GaN 是一种二元化合物,由一个镓原子(III 族,Z = 31)和一个氮原子(V 族,Z = 7)组成,具有纤锌矿六方结构。镓原子和氮原子通过非常强的离子化学键结合在一起,从而产...

设计应用 时间:2024/6/21 阅读:919

单结晶体管详细教程

单结晶体管(简称UJT)是另一种固态三端子器件,可用于门脉冲、定时电路和触发发生器应用,以切换和控制交流电源控制类型应用的晶闸管和双向可控硅。  与二极管一样,单...

设计应用 时间:2024/5/8 阅读:265

如何将晶体管用作开关

晶体管开关对于低直流开/关切换中的电子器件至关重要,其中晶体管 在截止或饱和状态下运行。一些电子设备(例如 LED)需要几毫安的电流才能启动,并且可以由逻辑门输出驱动...

设计应用 时间:2024/4/28 阅读:503

什么是晶体管?晶体管的种类

晶体管是一种半导体器件,用于放大电信号、作为开关以及其他电路应用。晶体管有多种类型,包括晶体管的主要种类如下:  双极型晶体管(双极型BJT晶体管): 双极型晶体管具有三个区域:发射极、基极和集电极。根据控制方式的不同,双极...

基础电子 时间:2024/3/15 阅读:884

IDC 谏早电子开发的成对晶体管

半导体生产厂的谏早电子开发出成对晶体管「RT3A66M」、「RT3C66M」。  本产品的封装内, 装有两个相等hFE值的元件。因此, 温度变化已做成的电流值差距会变小。令差分放大电路、电流镜电路也可以适用。  内部线路图  特点  hFE1(T...

新品速递 时间:2024/3/5 阅读:1267

了解场效应晶体管的原理和操作

了解场效应晶体管的原理和操作。  晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先,作为它们的真空管前身,三极管,它们可以放大电信号。...

设计应用 时间:2024/2/26 阅读:325

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