Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管，其中一半符合汽车标准。 Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管 跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A ...
分类：新品快报 时间：2024/8/29 阅读：252 关键词：双极功率晶体管
Infineon - 英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和...
时间：2024/8/19 阅读：42 关键词：半导体
Infineon - 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低...
时间：2024/8/8 阅读：53 关键词：英飞凌
AMD 的 Zen 5 芯片每个计算芯片封装了 83.15 亿个晶体管，密度提高了 28%
当 AMD 正式推出基于 Zen 5 的台式机和笔记本电脑 Ryzen 处理器时，它透露了有关 Zen 5 微架构和这些 CPU 功能的许多细节。然而，它并没有透露各种基于 Zen 5 的产品的实际...
分类：业界动态 时间：2024/7/19 阅读：342 关键词：AMD
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产...
分类：新品快报 时间：2024/7/12 阅读：326 关键词：晶体管
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 ...
分类：新品快报 时间：2024/7/10 阅读：304 关键词：英飞凌
瑞萨电子与 Transphorm 达成交易后推出 GaN 功率晶体管
瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。 瑞萨电子表示：“随着此次收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计，以满足对宽...
分类：名企新闻 时间：2024/6/24 阅读：376 关键词：瑞萨电子
ST - 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关...
时间：2024/1/17 阅读：89 关键词：IGBT晶体管
Transphorm 最新技术白皮书： 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比
氮化镓功率半导体产品的全球领先企业 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还...
时间：2023/10/31 阅读：98 关键词：电子
晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和区域，而粉红色阴影区域表示截止区域。 图 1. 晶体管工作区域。图片由 Simon Munyua Mugo 提供 这...
设计应用 时间：2024/10/21 阅读：340
请注意，单结晶体管的符号看起来与结型场效应晶体管或 JFET 的符号非常相似，只是它有一个代表发射极 ( E ) 输入的弯曲箭头。虽然 JFET 和 UJT 的欧姆通道相似，但其工作方式却截然不同，不应混淆。 那么它是如何运作的呢？从上面的...
基础电子 时间：2024/10/15 阅读：149
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性...
设计应用 时间：2024/9/13 阅读：203
双极晶体管结构 上文给出了PNP和NPN双极晶体管的结构和电路符号，电路符号中的箭头始终表示基极端子和发射极端子之间“常规电流流动”的方向。对于这两种晶体管类型，箭...
设计应用 时间：2024/9/13 阅读：187
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示，从等效结构图中可以看出，IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三...
基础电子 时间：2024/8/28 阅读：237
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。 基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电...
设计应用 时间：2024/7/16 阅读：261
GaN 是一种二元化合物，由一个镓原子（III 族，Z = 31）和一个氮原子（V 族，Z = 7）组成，具有纤锌矿六方结构。镓原子和氮原子通过非常强的离子化学键结合在一起，从而产...
设计应用 时间：2024/6/21 阅读：938
单结晶体管（简称UJT）是另一种固态三端子器件，可用于门脉冲、定时电路和触发发生器应用，以切换和控制交流电源控制类型应用的晶闸管和双向可控硅。 与二极管一样，单...
设计应用 时间：2024/5/8 阅读：291
晶体管开关对于低直流开/关切换中的电子器件至关重要，其中晶体管 在截止或饱和状态下运行。一些电子设备（例如 LED）需要几毫安的电流才能启动，并且可以由逻辑门输出驱动...
设计应用 时间：2024/4/28 阅读：527
晶体管是一种半导体器件，用于放大电信号、作为开关以及其他电路应用。晶体管有多种类型，包括晶体管的主要种类如下： 双极型晶体管（双极型BJT晶体管）： 双极型晶体管具有三个区域：发射极、基极和集电极。根据控制方式的不同，双极...
基础电子 时间：2024/3/15 阅读：891
