据相关报道，瑞萨电子已放弃使用新材料生产功率半导体的计划，不再计划于 “2025 年初” 在其位于群马县高崎的工厂投产碳化硅（SiC）芯片。这一决策背后，反映出当前 SiC 芯片市场复杂的形势。
功率半导体在控制电压方面起着关键作用，而 SiC 能够承受比硅高得多的电流，可使车辆行驶更长时间，因此在电动汽车领域具有广阔的应用前景。尽管预计 SiC 需求长期内将增长，但现实市场情况却不容乐观。东京研究公司富士经济的数据显示，2024 年 SiC 市场规模仅增长 18%，达到 3910 亿日元（约合 26.9 亿美元），低于 2024 年 2 月预测的 27% 增长至 4915 亿日元。市场增长低于预期的原因是多方面的，欧洲政府补贴的取消导致该地区电动汽车销量放缓，同时中国制造商的晶圆和芯片产能过剩，使得碳化硅芯片价格下跌 “势不可挡”，而且中国汽车制造商增加对国产芯片的采购，进一步加剧了市场竞争。此外，预计中长期内与中国竞争对手的降价竞争将会加剧，作为后来者的瑞萨很难通过生产 SiC 芯片快速获利。
瑞萨电子执行官柴田英年在二月份的简报会上表示：“我们认为（市场状况）极其严峻。” 今年早些时候，瑞萨解散了高崎工厂的 SiC 芯片生产团队。瑞萨电子在其位于山梨县甲斐市和高崎市的工厂生产采用传统硅材料制造的芯片，高崎工厂采用成熟技术，面临来自中国制造商的激烈竞争，要么停止了部分产品的生产，要么削减了产量。甲斐工厂在政府的资金支持下于 2024 年 4 月投产，但尚未开始量产，目前计划等待市场状况复苏。
不仅瑞萨面临困境，其他制造商也遭遇了类似的现实。罗姆公司截至今年 3 月的 2024 财年，由于加大对 SiC 半导体的投资，12 年来首次出现净亏损。客户包括特斯拉等的瑞士芯片制造商意法半导体的股价自 2024 年以来已暴跌逾 50%。据报道，美国碳化硅芯片制造商 Wolfspeed 正准备申请破产保护，而瑞萨电子已于 2023 年向 Wolfspeed 支付了 20 亿美元的定金，用于购买未来十年的晶圆，这笔资金能否收回令人担忧。
然而，与国际市场的低迷形成鲜明对比的是，国内 SiC 产业在汽车需求的推动下发展得热火朝天。5 月 28 日消息，长飞先进武汉基地一期已实现量产通线，首片 6 寸碳化硅晶圆成功下线。该基地项目总投资 200 亿、占地面积 498 亩，一期占地 344 亩，达产后将具备年产 36 万片外延、36 万片 6 寸碳化硅晶圆、6100 万个碳化硅功率模块的制造能力。长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示，基地下线的 6 英寸碳化硅晶圆主要应用于新能源汽车的主驱，“已通过车规可靠性标准，首批良率达到 97%”。长飞先进此前在安徽已经建设完成具有年产 6 万片碳化硅 MOSFET 晶圆制造能力的芜湖基地，武汉基地是其扩产规划的重要载体。目前，武汉基地的核心工作是尽快完成产能爬坡，李刚估计到今年年底月产能可以达到 3500 片。除了已下线的首款晶圆，还有 8 款产品正在验证阶段，年底有望达到 12 款，项目满产后可满足 144 万辆新能源汽车对高端芯片的需求。
