根据日经新闻报道，日本芯片制造商瑞萨电子已放弃使用新材料（SiC）生产功率半导体的计划，不再计划于“2025 年初”在其位于群马县高崎的工厂投产。
日本半导体巨头瑞萨电子此前宣布，将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。按照计划，瑞萨电子拟在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂实现SiC功率器件的量产，但具体投资金额和生产规模尚未确定。
不过，据相关报道，瑞萨电子此前已经宣布与全球碳化硅技术主导者Wolfspeed达成协议。瑞萨电子将交付20亿美元定金以确保Wolfspeed供应碳化硅裸片和外延片的10年供应承诺。高品质碳化硅晶圆的供应，为瑞萨电子于2025年开始了碳化硅功率半导体规模化生产铺平道路。此次签约仪式在瑞萨电子位于日本东京的公司总部进行，瑞萨电子总裁兼CEO柴田英利与Wolfspeed总裁总裁Gregg Lowe出席并签约。
长达10年的供应协议要求Wolfspeed自2025年向瑞萨电子供应规模化生产的150mm碳化硅裸晶圆和外延片，这将强化公司从硅向碳化硅半导体电力器件产业转型的愿景。在Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州的约翰·帕尔莫碳化硅制造中心（The John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide, The “JP”）实现全面运营后，也将向瑞萨电子供应商200mm碳化硅晶圆和外延片。
瑞萨电子总裁兼CEO柴田英利表示：“与Wolfspeed的晶圆供应协议，将为瑞萨电子带来一个稳定且长期的高品质碳化硅晶圆供应基础。这将赋予瑞萨电子扩大功率半导体供应，以更好地服务客户的队列不同应用。我们已经蓄势待发，不断实现自我提升，成为加速碳化硅市场的一家关键企业。”
Wolfspeed兼总裁代表Gregg Lowe表示：“伴随着碳化硅在汽车、工业和能源领域的需求逐渐攀升，我们能够拥有像萨电子这样的功率半导体客户是极为重要的，这将引领引领从硅向碳化硅的全球转型。Wolfspeed聚焦制造碳化硅和高品质输出功率超过35年。这点燃了我们的使命，向着推动全球节能迈进重要的一步。”
瑞萨电子20亿美元定金将帮助支持Wolfspeed启动中的产能建设计划，包括位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的全球碳化硅材料工厂约翰·帕尔莫碳化硅制造中心（The John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide, The “JP”）。接下来采用了前面提到的前沿技术、投资证实亿美元的工厂，计划在现有Wolfspeed北卡罗来纳州达勒姆园区碳化硅制造产能基础上实现10目前工厂将主要生产200mm碳化硅晶圆。200mm碳化硅晶圆终比150mm碳化硅晶圆大1.7倍，这也就意味着每片晶圆可以制作更多数量的芯片，从而降低器件成本。
