2025 年 SiC（碳化硅）晶圆市场正面临着增速放缓的局面。原本被视为电动汽车革命支柱的 SiC 功率半导体市场，如今遭遇了诸多挑战。
　　近年来，电动汽车需求低于预期，加上中国制造商积极投入生产，给全球 SiC 市场格局带来了巨大压力。行业分析师指出，美国碳化硅晶圆 Wolfspeed 预计将申请破产，这一事件凸显了中国市场带来的价格压力以及产能过剩问题。在中国国家补贴的推动下，大量低成本的碳化硅晶圆涌入市场，导致价格下跌，全球供应格局因此被打乱。
　　与此同时，日本瑞萨电子也做出了重大决策。该公司原本计划于 2025 年初在其高崎工厂投产电动汽车碳化硅（SiC）组件，但由于电动汽车销量增长放缓、市场环境恶化以及中国产量大幅增长，瑞萨电子以利润率难以为继为由，终止了该量产计划，并解散了开发团队。
　　从市场数据来看，SiC 能够处理比硅更高的电流，在提升电动汽车动力总成应用中的续航里程方面具有显著优势。富士经济估计，2024 年 SiC 晶圆市场规模达到 1436 亿日元（约合 9.9962 亿美元），不过由于单价下降，销量增长超过了收入增长。2024 年，尽管 SiC 功率半导体需求减弱，但中国制造商的 SiC 晶圆销量（以平方米计算）仍增长了 81.9%，然而低成本的 6 英寸晶圆引发价格下跌，使得市场价值增幅仅为 46.1%。
　　展望 2025 年，8 英寸 SiC 晶圆生产线投资延迟，预计将使销售面积和市场价值的增长均抑制在 20% 左右，与 2024 年的强劲增长相比大幅放缓。尽管 8 英寸晶圆被认为是未来市场扩张的关键，但中国激进的定价策略持续压低整体价格，尽管销售领域稳步增长，但潜在的收入增长仍受到限制。目前，6 英寸晶圆仍占据主导地位，占销售额的 90% 以上，而 4 英寸晶圆的市场份额正在下降，预计 8 英寸晶圆市场将在 2026 年后实现快速增长。预计到 2035 年，SiC 芯片市场规模将增长至 6195 亿日元，比目前水平增长 3.3 倍。
　　除了 SiC 之外，其他下一代半导体材料正日益受到关注。金刚石、氮化铝（AlN）和二氧化锗（GeO?）晶圆等第四代半导体材料蓄势待发。尤其是金刚石晶圆，预计将于 2026 年左右随着 2 英寸晶圆的商业化进入市场，其功率半导体市场预计将快速增长，到 2035 年市场规模将达到 46 亿日元。氮化铝晶圆已开始出货 4 英寸样品，应用前景广阔，有望在未来几年实现正式量产。二氧化锗晶圆也即将推出 6 英寸外延片，预计 2030 年左右上市。
　　这些第四代半导体材料在多个领域具有广泛的应用前景。在新能源汽车领域，其器件可用于逆变器、充电器等关键部件，显著提高能源转换效率，降低能耗，延长电池续航里程，如氧化镓功率器件可减小逆变器体积和重量，提升功率密度。在 5G 通信领域，凭借高频、高响应速度特性，可制造高性能射频器件，提高信号质量和传输速度，满足 5G 基站等设备的通信需求。在电力电子领域，可用于智能电网、可再生能源发电等场景，提升电力转换和传输效率，减少能源损耗，如在光伏逆变器中应用碳化硅或氧化镓器件，能提高发电效率和稳定性。
　　然而，第四代半导体材料在产业化进程中仍面临诸多挑战。大尺寸单晶制备技术难题尚未完全攻克，导致材料成本居高不下，限制了大规模商业化应用。以氧化镓为例，其高熔点、高温分解以及易开裂等特性，使得大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。此外，相关的器件设计、制造工艺以及封装技术等也有待进一步完善和优化，以充分发挥其性能优势。