在全球半导体行业竞争日益激烈的背景下，三星电子正积极采取措施重塑其在该领域的领先地位。近期，三星在第六代 DRAM（1c 节点）良率方面取得了重要突破，这一进展不仅为其自身发展带来了新的契机，也引发了市场对高带宽内存（HBM）市场潜在反弹的乐观预期。
　　引领这一变革的是三星执行官兼设备解决方案（DS）部门负责人全永铉。2024 年 5 月他重返三星后，便启动了一项具有重大意义的 DRAM 架构重新设计计划，旨在扭转此前三星在该领域遭遇的困境。据相关媒体报道，目前三星的 1c DRAM 在冷测试中的良率已达到约 50%，热测试良率更是高达 60 - 70%，相较于 2024 年初不足 30% 的水平，实现了质的飞跃。由于 40% 通常被视为可行量产的标准，这一提升标志着三星 DRAM 发展路线图迎来了关键转折。
　　三星良率的显著回升，得益于全永铉领导下的大胆架构革新。研发团队引入了全新的电路结构以提高运营效率，然而这一举措不仅需要巨额的资金投入，还意味着要正视过去设计中存在的缺陷。此举措风险巨大，一旦失败，三星与 DRAM 制造领域领先竞争对手的差距可能会进一步拉大。初，三星计划在 2024 年底开始量产 1c DRAM，但由于重新设计，该计划被推迟至 2025 年。目前预计明年将实现量产，但前提是新设计能够成功通过验证。三星的 1c DRAM 是其 HBM4 开发的核心，计划于 2025 年底进行部署，其性能对于三星在高端 DRAM 和 HBM 领域重拾增长的战略布局至关重要。
　　为了支持即将开展的 1c DRAM 和 HBM4 生产工作，三星正在加大资本投入。公司计划对平泽 P4 晶圆厂进行大规模的设备扩建，并在华城 17 号线进行工艺转型。此外，有消息称三星 4nm 逻辑芯片（HBM4 堆栈的关键）良率已超过 40%，成功突破了中试规模生产的门槛。今年 4 月，全永铉亲自对代工部门取得的这一里程碑式成果给予了表彰。
　　然而，三星的良率恢复策略也引发了一定的争议。尽管有观点认为三星普遍扩大了 DRAM 芯片尺寸，但实际上近期的主流产品（如 D1z 12Gb LPDDR5）芯片尺寸较上一代缩小了 18%。这得益于极紫外（EUV）光刻精度的提升以及晶体管密度的提高，使得位密度提升了 22%。不过，1c DRAM 节点主要针对 HBM 应用设计，其面临的权衡取舍更为复杂。三星选择性地加宽了外围电路线，以降低 EUV 工艺差异性导致的缺陷率，从而扩大了芯片尺寸。这种方法虽然降低了缺陷率，缓解了量子隧穿效应，提高了每片晶圆上功能芯片的份额，但也导致每片晶圆上的芯片数量减少，生产成本增加，对三星的成本效益模式构成了挑战。
　　在存储器制造领域，芯片尺寸增大一直存在争议，因为利润率很大程度上取决于每片晶圆的芯片数量化。三星的 1c 战略凸显了 EUV 工艺集成和布局精度方面的重大挑战。尽管这种方法有助于提升良率，但也反映出在节点上缩小尺寸的困难依然存在。EUV 光刻技术虽有诸多优势，但对环境条件极为敏感，容易发生散射，且难以对准超精细图案。据报道，三星在光学邻近校正（OPC）、布局一致性和整体工艺稳定性方面遇到了难题，这引发了市场对其 EUV 集成能力成熟度的质疑。
　　据 TrendForce 报道，由于 3nm 和 2nm 的良率问题，三星正在对其 1.4nm（1b）节点进行推迟或重新评估。虽然跳过这个中间节点可能会限制工艺改进的机会，但三星尚未正式确认绕过该节点。目前，公司正专注于提高良率和优化设计以稳定生产，不过这对工具和技术学习的具体影响仍有待观察。
　　与此同时，三星的竞争对手 SK 海力士已在较小尺寸的芯片上实现了稳定的 1c 良率，并开始供应基于 1b 节点构建的 12 层 HBM4。该公司在 HBM3E 的应用方面也处于领先地位，且在关键客户中拥有强大的吸引力。如果 SK 海力士的产品在成本或密度方面超越三星，三星将面临进一步落后的风险。若位密度和产品级竞争力无法显著提升，三星不仅在 HBM4 领域，未来几代产品也可能会处于劣势。如果小型化和结构创新停滞不前，三星短期内通过扩大 1c 芯片尺寸来恢复良率的策略，可能会在长期内成为发展的负担。
　　不过，三星也在积极推进其 HBM 战略。公司正在加快将内部 4nm 逻辑芯片与现已稳定的 1c DRAM 相结合，以在 HBM4 领域取得进展。此外，三星还在推进第七代（1d）DRAM 的研发工作，其平泽 P2 晶圆厂的一条试验生产线已投入运营，并生产出了初始工程样品。业内消息人士表示，尽管 SK 海力士在第六代（1c）DRAM 的研发完成方面领先，但三星有可能凭借在 1d DRAM 上更快的执行速度超越对手。韩国业内人士报道称，三星计划在 2026 年下半年实现量产，希望借此从落后者转变为有力的竞争者。
　　尽管三星在良率方面取得了一定提升，但分析师警告称，这种提升可能只是战术层面的调整，并非真正的技术飞跃。如果三星在密度和性能方面无法与 SK 海力士相匹敌或超越，其 HBM4 产品在人工智能和高性能计算市场中的表现可能不尽如人意。三星近期的进展或许预示着战术路线的调整，而非全面回归创新领导地位。业内人士指出，除非三星能够缩小在晶体管密度、架构设计和 EUV 技术方面与竞争对手的差距，否则其 HBM 市场的复苏可能只是短暂的。三星面临的关键挑战在于，如何在不牺牲成本和信誉的前提下，将良率稳定性提升到商业上可行的高性能内存水平。