类别：业界动态 出处：网络整理 发布于：2025-06-11 09:19:26 | 149 次阅读
据韩媒 the bell 当地时间昨日报道，HBM4 内存的 I/O 数量相较于此前产品实现了翻倍，达到 2048。这一变化对 SK 海力士和美光产生了显著影响，由于他们在 HBM4 DRAM 上沿用 1b 工艺，不得不扩大 DRAM Die 的面积。而面积的扩大直接导致单晶圆上可生产的 HBM DRAM Die 数量降低，这无疑会对他们的生产效率和成本控制带来挑战。
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