新兴存储器普及在望,NOR Flash 地位受挑战

类别:业界动态  出处:网络整理  发布于:2025-05-27 09:15:45 | 279 次阅读

  近期,MRAM 制造商 Everspin Technologies 宣布推出符合汽车可靠性标准 AEC - Q100 的新型 MRAM 产品。该标准由汽车电子委员会(AEC)制定,明确了汽车电子产品通用元器件的资格和质量体系标准,包含针对集成电路的一系列资格测试序列。Everspin 的高可靠性分立 MRAM 产品是其 “PERSYST EMxxLX” 系列的拓展,涵盖 “EM064LX HR” 和 “EM128LX HR”。这些设备的工作温度范围为 - 40°C 至 125°C,既适用于汽车应用,也满足了航空航天、国防以及恶劣工业环境对持久高速内存的需求。
  NVIDIA 营销总监 Joe O'Hare 指出,MRAM 的需求主要源于汽车应用,汽车需要能承受极端温度的高可靠性内存组件,同时低地球轨道卫星(LEO)的快速发展也需要能耐受恶劣操作环境(包括耐辐射)的内存。他还提到,Everspin 的 PERSYST MRAM 凭借卓越的耐用性和可靠性,在关键存储应用中有 20 年的良好使用记录,是同温度范围内速度快的 MRAM,其 64Mb/128Mb 的容量使其成为关键任务系统的理想选择。此外,目前 MRAM 有可能取代 NOR 闪存,因为 NOR 闪存面临扩展和密度方面的限制,而 MRAM 写入速度高,可降低实时应用的系统开销,且架构更简单。不过,Everspin 虽推出符合汽车标准的产品,但在太空探索应用方面的参与度更高。
  与此同时,Weebit Nano 也将目光投向汽车领域,推出嵌入式 ReRAM 作为 NOR Flash 的替代品。该公司采用半导体制造商 SkyWater Technology 的 130nm CMOS 工艺的 ReRAM 模块,已完成 AEC - Q100 标准 150°C 运行评估。Weebit Nano 营销和业务开发副总裁 Eran Briman 表示,AEC - Q100 是汽车领域的黄金标准,他们为 ReRAM 产品开发的 “任务配置文件” 可满足所有汽车环境的需求。汽车微控制器的普及正在加速,28nm 以后闪存将无可替代,而汽车 ReRAM 在软件定义汽车的无线(OTA)定期更新方面具有机遇,这类汽车需要更高耐用性的非易失性存储器。
  然而,新兴存储器的普及并非一帆风顺。Objective Analysis 分析师 Jim Handy 认为,可靠性对汽车存储器客户很重要,但他们也会考虑价格因素。在许多情况下,NAND 闪存从价格角度仍是选择,MRAM 若要成为 NOR 闪存的替代品,目前面临来源少的挑战。对于空间应用,MRAM 的可靠性和抗辐射性很关键,而 ReRAM 则在可靠性和承受极端温度方面表现出色。新兴存储器面临的挑战还是成本,尽管技术上优于现有内存,但现有产品价格更便宜。
关键词:存储器

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