英飞凌扩展集成嵌入式纠错码(ECC)的抗辐射异步静态随机存取存储器(RAM)产品线,适用于航空等极端环境

类别:新品快报  出处:网络整理  发布于:2024-01-16 10:41:59 | 433 次阅读

  卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着联网设备的数量及其产生的数据量不断增长,这一点变得愈发重要。为满足太空应用中的这些高性能计算需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飞凌技术RADSTOP设计的抗辐射(rad hard)异步静态随机存取存储器。全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其它恶劣环境应用而设计。

  英飞凌抗辐射(rad hard)异步静态随机存取存储器
  在高性能太空计算中,数据缓冲所需要的内存比MCU或 FPGA片上存储器所能提供的内存更多。存储器必须为实时处理应用提供更高的性能并具有卓越的抗辐射性能,以满足在恶劣环境中的任务要求。英飞凌的全新抗辐射静态随机存取存储器(SRAM)有8位、16位和32位宽配置,并带有能进行单比特错误纠正的嵌入式纠错码(ECC)。这项先进技术使得纠错码(ECC)逻辑能够在读取周期内检测并纠正任何读取数据字中的单比特错误。
  英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner博士表示:“辐射效应会导致静态随机存取存储器(SRAM)中不可避免的比特错误,而使用系统级纠错码(ECC)会增加设计复杂性和延迟。英飞凌的RADSTOP异步静态随机存取存储器(SRAM)提供了一种极其可靠的单芯片解决方案,可以在解决这些问题的同时,满足航天工业对抗辐射性能的要求。”
  英飞凌领先的RADSTOP技术通过自主设计和工艺强化技术实现了抗辐射性能,可满足极端环境下的所有抗辐射要求。这款全新抗辐射存储器获得了QML-V,能够确保在极端环境下的可靠性和生命周期要求。这些半导体器件的存取时间短至10 ns,是目前速度快的选择。此外,它们还为的密度和的静态电流提供了的占板面积。RADSTOP存储器解决方案扩展了整个系统的计算极限,同时具备尺寸、重量和功耗优势以及更大的设计灵活性。
关键词:电子

全年征稿 / 资讯合作

稿件以电子文档的形式交稿,欢迎大家砸稿过来哦!

联系邮箱:3342987809@qq.com

版权与免责声明

凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。

本网转载并注明自其它出处的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容的真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品出处,并自负版权等法律责任。

如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

热点排行

广告