美国加强对光刻、蚀刻和 HBM 存储器的出口管制

类别：业界动态　出处：网络整理　发布于：2024-12-03 10:19:09 | 329 次阅读

　　美国政府加强了对人工智能芯片技术以及高速HBM存储器的出口管制。
　　美国商务部的规定包括对 24 种半导体制造设备和 3 种用于开发或生产半导体的软件工具实施新的出口管制，以及对高带宽存储器（HBM）实施新的管制。
　　美国商务部工业与安全局（BIS）宣布的一揽子规则明确旨在打击中国生产可用于下一代先进武器系统、人工智能（AI）和先进计算的先进节点半导体的能力。
　　美国还将 140 个实体列入从掌握关键技术的小公司购买技术的组织名单。
　　新的管制措施将于今年年底生效，管制对象为生产先进节点集成电路所需的半导体制造设备，包括某些蚀刻、沉积、光刻、离子注入、退火、计量和检测以及清洁工具。这包括用于硅通孔 (TSV) 的设备以及除钼和钌之外的低电阻 2D 材料设备，这些材料正计划用于 2nm 以下芯片工艺技术。
　　对于开发或生产先进节点集成电路的软件工具也施加了额外的控制，包括提高先进机器生产率或允许不太先进的机器生产先进芯片的软件。
　　HBM 管制适用于美国制造的存储设备（由 Micro Technology 制造），以及根据先进计算外国直接产品 (FDP) 规则受出口限制的外国生产的 HBM。根据新的许可例外，某些 HBM 将有资格获得授权。

关键词：光刻 HBM存储器

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