在半导体制造领域，光刻机技术一直是关键的竞争焦点。近期，ASML 推出的高数值孔径（NA）EUV 光刻机备受关注，但台积电却表现出了谨慎的态度。
ASML 的这台高数值孔径 EUV 系统，耗时近十年打造，造价超过 4 亿美元，堪称迄今为止、昂贵的芯片制造工具。该系统由四个分别在康涅狄格州、加利福尼亚州、德国和荷兰制造的模块化组件组成，终在费尔德霍芬进行组装、测试和。其规模巨大，高 NA EUV 团队负责人 Assia Haddou 称它 “比一辆双层巴士还要大”，且系统的规模和复杂性使得物流运输本身成为一项壮举。
台积电联席副运营官张凯文重申，公司对采用高数值孔径 EUV 光刻设备持谨慎态度，强调台积电 “并不急于” 将这项先进技术投入量产。即便在台积电的节点 ——A14（1.4 纳米级）和 A16（1.6 纳米级），短期内也不会使用高 NA EUV。张凯文表示，当高 NA EUV 能带来有意义的、可衡量的效益时，台积电才会采用它。在此之前，台积电的工程师们正在努力扩展当前标准 NA EUV 系统的功能，延长其使用寿命并挖掘更多价值。
与之形成对比的是，英特尔已在其 18A 工艺节点的研发管线中部署了高 NA EUV 系统，近还在位于俄勒冈州的研发工厂安装了第二台高数值孔径 EUV 光刻系统，并报告称该设备已达到预期，正在稳步推进生产准备工作。
尽管台积电态度谨慎，ASML 仍对高数值孔径 EUV 光刻系统的广泛应用持乐观态度。其执行官 Christophe Fouquet 已获得全球三大逻辑芯片制造商 —— 英特尔、台积电和三星的订单。目前，全球仅交付了五台高数值孔径 EUV 光刻机，ASML 计划在 2025 年出货至少 5 台额外的高 NA 工具，并在未来几年将年产量扩大到 20 台。
此外，ASML 押注台积电新的亚利桑那工厂可能会加速对高 NA EUV 光刻机的需求。为此，ASML 正在亚利桑那州建设其在美国的培训中心，计划于 2025 年下半年投入使用，每年将培训多达 1200 名 EUV 和 DUV 工程师。
展望未来，ASML 已在为下一个前沿领域 —— 超数值孔径 EUV 绘制蓝图。Fouquet 透露，初步光学设计已经完成，他预测对超数值孔径 EUV 的需求将在 2032 年至 2035 年之间出现。
