ASML世界最先进EUV光刻机只卖了5台！Intel：光刻没那么重要了
光刻机领域的巨头 ASML 向 Intel 交付了首套高数值孔径 High - NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE：5000。在当时，业界普遍对这款光刻机寄予厚望，认为 High - NA EUV 将...
分类：业界动态 时间：2025/7/5 阅读：328 关键词：EUV光刻机
全球半导体设备制造商ASML启动ASML杯光刻“芯”势力知识挑战赛。本次比赛面向中国半导体人才与科技爱好者，采用在线考试形式，于2025年6月20日12:00–7月4日23:59开放答题。7月中下旬公布优胜名单、8月上旬颁奖。 依托ASML在光刻领域...
分类：业界动态 时间：2025/6/24 阅读：210 关键词：ASML
英特尔董事：新型晶体管设计或减少芯片制造对 EUV 光刻机依赖
在芯片制造领域，一直以来先进光刻设备都占据着核心地位。然而，英特尔一位董事提出了一个颇具挑战性的观点，他认为未来晶体管设计，如环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET），可能会降低芯片制造对先进光刻设备，尤...
分类：名企新闻 时间：2025/6/20 阅读：262 关键词：晶体管
如何粉碎一块薄饼？这个问题困扰着阿姆斯特丹纳米光刻高级研究中心 (ARCNL) 的研究员迪翁·恩格尔斯 (Dion Engels)。 这里所说的薄饼指的是被粉碎的锡滴，它在 ASML 的光刻机中每秒被引爆五万次。这会产生等离子体，发射出极紫外 (EUV...
分类：业界动态 时间：2025/6/17 阅读：217 关键词：EUV光刻机
4 亿美元 ASML 高 NA EUV 光刻机，台积电持谨慎态度
在半导体制造领域，光刻机技术一直是关键的竞争焦点。近期，ASML 推出的高数值孔径（NA）EUV 光刻机备受关注，但台积电却表现出了谨慎的态度。 ASML 的这台高数值孔径 E...
分类：业界动态 时间：2025/6/9 阅读：315 关键词：台积电
世名科技发布一则重要公告，其将与厦门 TCL 科技产业投资有限公司（简称 “TCL 产投”）共同投资设立一家全新的合资公司，该公司的主要业务聚焦于显示光刻胶色浆的研发与销售。 据悉，新成立的合资公司暂定名为 “常熟世华新材料有限...
分类：名企新闻 时间：2025/6/5 阅读：685 关键词：TCL
根据外媒报道，台积电在芯片制造市场的份额一直在增加，公司的资本支出（CapEx）也在增加，自 2015 年以来增长了五倍。该公司计划在 2025 年投资 380 亿美元至 420 亿美元...
分类：业界动态 时间：2025/5/17 阅读：759 关键词：DRAM
研究机构 TECHCET 最新预测显示，受半导体市场复苏的有力推动，2025 年光刻材料收入预计将增长 7%，达到 50.6 亿美元。 这一增长主要得益于先进光刻胶需求的大幅增长，尤其是 EUV 光刻胶预计同比增长 30%。随着芯片产量的不断增加，特...
分类：业界动态 时间：2025/5/13 阅读：377 关键词：光刻材料
在半导体新元素的采用方面，台积电多年来一直是先驱，并经常引领潮流。但现在，该公司似乎将放弃在其 A14 工艺中使用高数值孔径 EUV 光刻设备，而是采用更传统的 0.33 数值...
据报道，初创公司Lace Lithography AS（挪威卑尔根）正在开发一种光刻技术，该技术使用向表面发射的原子来定义特征，其分辨率超出了极紫外光刻技术的极限。 Lace Litho ...
分类：名企新闻 时间：2025/4/23 阅读：237 关键词：EUV
数字光刻技术 (DLT) 有望让芯片制造商将芯片与玻璃和其他大型基板上的亚微米布线结合起来。这种无掩模技术是应用材料公司与 Ushio 之间战略合作伙伴关系的核心，旨在加速半导体行业向异构小芯片集成的过渡。 应用材料公司一直在推出材...
基础电子 时间：2023/12/13 阅读：411
1965年，戈登·摩尔提出摩尔定律。当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 这个不断触碰半导体工艺极限的定律，也经常伴随着“死亡”和“新生”两方面的话题。其中就有人认...
基础电子 时间：2018/5/28 阅读：1817
Maskless Lithography推出大批量PCB生产用直写光刻设备
MasklessLithography公司近日首次公开推出全新的可提高印制电路板（PCB）生产门槛的直写数字成像技术。MasklessLithography是硅谷一家由一群行业资深人士领导的新创企业。这种MLI-2027直写光刻系统首次在业内同时实
新品速递 时间：2010/4/9 阅读：4276
脊形光波导的尺寸主要是由光刻工艺决定的。光刻受周围环境、设备条件等影响较大；所以，要保证光刻工艺的质量，就需要对光刻有一个全面的认识。微电子工艺的关键尺寸（CriticalDimension）目前已经减小至65nm，对于光波导来说已经绰绰有...
基础电子 时间：2008/12/3 阅读：1427
步进扫描光刻系统是一种混合设各，融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术，是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到晶片上一部分实现的。这种技术在一定程度上缓解了器件特征尺寸减小而半导体晶圆物理尺寸增加的问题。一束聚焦的狭...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：5070
图显示了一种简单分步重复光刻系统。掩模版放在聚焦透镜和投影系统之间，掩模图像是被缩小了5～10倍投影到衬底晶片上的。这种光学系统有很多优点：，可以利用大得多的特征...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：3702
对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5gm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要...
基础电子 时间：2008/12/2 阅读：3574
陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点，主要特性参数见表。 表:陶瓷体激光刻线型片式电感器主要特性参数
基础电子 时间：2008/5/15 阅读：2856
陶瓷体激光刻线型片式电感器具有体积小、热稳定性好及可焊性好的特点，其外形尺寸如图所示。 图：陶瓷体激光刻线型片式电感器外形
基础电子 时间：2008/5/15 阅读：2273
1引言自1995年纳米压印技术提出以来，人们希望通过该技术实现低成本、高分辨率、高效率、大面积的批量制备纳米结构。但是，传统的热压印技术需要加热、高压环节，从而造成压印环节复杂、难于控制。1999年，美国得克萨斯州大学的研究小组...
设计应用 时间：2007/12/17 阅读：1966
