研究机构 TECHCET 预测显示，受半导体市场复苏的有力推动，2025 年光刻材料收入预计将增长 7%，达到 50.6 亿美元。
　　这一增长主要得益于先进光刻胶需求的大幅增长，尤其是 EUV 光刻胶预计同比增长 30%。随着芯片产量的不断增加，特别是逻辑芯片和 DRAM 芯片领域先进节点器件产量的提升，辅助材料和扩展材料也将呈现出强劲的增长态势。回顾 2024 年，光刻材料收入实现了 1.6% 的温和增长，达到 47.4 亿美元。其中，光刻胶增长 1%，EUV 光刻胶表现为突出，同比增长 20%。辅助材料和扩展材料均表现良好，分别增长 2%。当前市场受益于先进节点工艺发展带来的光刻胶需求稳步增长，特别是 EUV 光刻胶，同时 KrF 和 ArF 等传统光刻胶在 3D NAND 中的应用增加也促进了市场的积极表现。
　　TECHCET 的《2025 年光刻材料关键材料报告》指出，预计到 2029 年，光刻材料市场将以 6% 的复合年增长率增长。未来市场发展将受到供应链本地化趋势的影响，美国、韩国、中国台湾和大陆都将建设新设施。这些设施将致力于开发干法光刻胶沉积和纳米压印光刻等创新技术，以进一步提升光刻材料的性能和降低成本。
　　在中国市场，中商产业研究院发布的《2025 - 2030 年中国半导体材料行业市场现状调研及发展趋势预测研究报告》显示，中国半导体关键材料市场规模从 2020 年的 755.8 亿元增长至 2024 年的 1437.8 亿元，年均复合增长率达 17.44%，2025 年中国半导体关键材料市场规模预计将达到 1740.8 亿元。在制造材料中，硅片、光刻材料、掩模板、电子特气占比较高。以 2023 年为例，硅片市场在晶圆制造材料市场中占比为 33.1%，位列第 1 位，光刻材料、掩模板、电子特气分别位列第 2、3、4 位，占比分别为 15.3%，13.2%，13.2%。其中，光刻胶是光刻工艺中主要、关键的材料，被誉为电子化学品产业 “皇冠上的明珠”。光刻胶在芯片制造材料成本中的占比高达 12%，也是继大硅片、电子气体之后第三大 IC 制造材料。2024 年我国光刻胶市场规模约为 80.5 亿元，同比增长 25.39%，预计 2025 年我国光刻胶市场规模可达 97.8 亿元。目前半导体光刻胶市场 90% 被海外厂商掌控，头部厂商包括日本 JSR、TOK、住友化学、信越化学、富士材料及美国陶氏化学等。其中，日本 JSR 是全球、技术领先的光刻胶，其 ArF 高端光刻胶市场占有率，也是有能力量产 EUV 光刻胶的企业，日本 TOK 光刻胶是全球的 G 线 / I 线、KrF 光刻胶供应商。而在中国市场，前瞻产业研究院数据显示，目前从事半导体用光刻胶研发和产业化的企业则多以 I 线、G 线光刻胶生产为主，2021 年国内 G 线、I 线光刻胶国产化率已达 10%，KrF 以上的高端光刻胶品种基本处于研发状态，国产化率仅为 1%。
　　近日，还有消息称美国针对日系高阶材料拟增征进口关税。研究报告指出，若美国对来自日本的 EUV 与 ArF 光刻胶课征 10 - 25% 关税，将导致进口价格上涨 10 - 24%。以目前 EUV 光刻胶报价每加仑 1500 美元计算，一旦课税 25%，终成本将增加近 400 美元。全球光刻胶市场正进入结构性增长阶段，2025 年市场产值接近 65 - 70 亿美元，占全球半导体材料约 8 - 10%，其中相当于 2nm 和 3nm 制程的 EUV 光刻胶，年复合增长率高达 35%，远超过其他 ArF、KrF 等成熟产品的 4 - 5%。由于 EUV 光刻胶具备高技术导向与使用环境极为严格的要求，无法轻易替代，即使关税阻碍成本攀升，包括台积电、英特尔、三星等先进晶圆制造商仍需依赖日系供应商的安全出货，才能确保先进制造进度的良率与量产进度，目前面临着「被迫接受高成本」的现实困境。此外，随着台积电在美国建厂扩产，至 2027 年，美国 2nm 制程产能占全球比重预期将大幅提高到 21%，势必会推动美国光阻消费由非主力市场转为战略重点市场。若关税制度加强，不排除日系大厂会赴美设厂扩产的可能。值得一提的是，EUV 光阻技术因验证期长、量产入口高，市场长期被 JSR、东京应化、信越化学三大日厂垄断，市占率超过九成。美系大厂如杜邦与陶氏虽然现在 ArF、KrF 保有市占，但在 EUV 该领域几乎无法与日厂抗衡。